[发明专利]半导体结构、集成芯片及其制造方法

说明书

本公开的各种实施例涉及一种包括电阻器结构的集成芯片。电阻层上覆在衬底之上。电阻器结构上覆在衬底之上。电阻器结构包括电阻层的电阻器区段及上覆在电阻器区段之上的导通孔结构。环结构封闭电阻器结构。环结构从导电结构上方的第一点连续延伸到电阻层的底表面下方的第二点。

技术领域

本公开涉及半导体结构、集成芯片及其制造方法。

背景技术

现代的集成芯片使用各种各样的装置来达成各种不同的功能性。一般来说，集成芯片包括有源装置及无源装置。有源装置包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET))，而无源装置包括电感器、电容器以及电阻器。电阻器广泛地用于例如电阻器-电容器(resistor-capacitor，RC)电路、功率驱动器(power driver)、功率放大器(power amplifier)、射频(radiofrequency，RF)应用等诸多应用中。

发明内容

本公开实施例提出一种集成芯片，包括：衬底；电阻层，上覆在所述衬底之上；电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括：所述电阻层的电阻器区段；上覆在所述电阻器区段之上的导电结构；及封闭所述电阻器结构的环结构，其中所述环结构从所述导电结构上方的第一点连续延伸到所述电阻层的底表面下方的第二点。

本公开实施例提出一种半导体结构，包括：衬底；电阻层，上覆在所述衬底之上；电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括所述电阻层的电阻器区段、上覆在所述电阻器区段之上的接触结构及上覆在所述接触结构之上的介电结构；及隔离结构，连续包绕所述电阻器区段的外周边，其中所述隔离结构包括导电体及沿着所述导电体的相对侧壁延伸的第一衬垫。

本公开实施例提出一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底之上沉积电阻层，其中所述电阻层包含第一材料；在所述电阻层之上形成导电结构，其中所述导电结构包含不同于所述第一材料的第二材料；在所述导电结构之上形成层间介电结构；对所述层间介电结构及所述电阻层进行图案化以界定多个通孔开口及环结构开口，使得所述环结构开口横向封闭所述电阻层的电阻器区段，其中所述环结构开口从所述层间介电结构的上表面延伸到所述电阻层下方的点；在所述多个通孔开口中形成多个导通孔；及在所述环结构开口内形成环结构。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。注意到，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出集成芯片的一些实施例的截面图，所述集成芯片具有横向封闭电阻器结构的环结构。

图2示出根据线A-A’的图1的集成芯片的一些替代实施例的俯视图。

图3示出集成芯片的一些实施例的截面图，所述集成芯片具有设置在内连线结构内的电阻器结构。

图4示出根据线B-B’的图3的集成芯片的一些替代实施例的俯视图。

图5A到图5B到图13A到图13B示出形成集成芯片的方法的一些实施例的一系列各种视图，所述集成芯片具有上覆在衬底之上的电阻器结构。

图14示出形成集成芯片的方法的一些实施例的流程图，所述集成芯片具有上覆在衬底之上的电阻器结构。

具体实施方式