[发明专利]半导体结构、集成芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种集成芯片，其特征在于包括：

衬底；

电阻层，上覆在所述衬底之上；

电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括：

所述电阻层的电阻器区段；

上覆在所述电阻器区段之上的导电结构；及

封闭所述电阻器结构的环结构，其中所述环结构从所述导电结构上方的第一点连续延伸到所述电阻层的底表面下方的第二点。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述环结构包括：

导电体，环绕所述电阻层的所述电阻器区段；及

介电衬垫，沿着所述导电体的侧壁设置，以将所述导电体与所述电阻层分开，其中所述导电体及所述介电衬垫延伸穿过所述电阻层。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，还包括：

直接上覆在导线之上的导通孔，其中所述导通孔从所述第一点连续延伸到所述第二点，其中所述导通孔从所述环结构横向偏移非零距离；且

其中所述电阻层从所述介电衬垫连续延伸到所述导通孔，使得所述电阻层横向封闭所述导通孔。

4.一种半导体结构，其特征在于包括：

衬底；

电阻层，上覆在所述衬底之上；

电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括所述电阻层的电阻器区段、上覆在所述电阻器区段之上的接触结构及上覆在所述接触结构之上的介电结构；及

隔离结构，连续包绕所述电阻器区段的外周边，其中所述隔离结构包括导电体及沿着所述导电体的相对侧壁延伸的第一衬垫。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述隔离结构连续延伸穿过所述电阻层的厚度。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述电阻层的厚度小于所述接触结构的厚度。

7.一种形成集成芯片的方法，其特征在于包括：

在衬底之上沉积电阻层，其中所述电阻层包含第一材料；

在所述电阻层之上形成导电结构，其中所述导电结构包含不同于所述第一材料的第二材料；

在所述导电结构之上形成层间介电结构；

对所述层间介电结构及所述电阻层进行图案化以界定多个通孔开口及环结构开口，使得所述环结构开口横向封闭所述电阻层的电阻器区段，其中所述环结构开口从所述层间介电结构的上表面延伸到所述电阻层下方的点；

在所述多个通孔开口中形成多个导通孔；及

在所述环结构开口内形成环结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述多个导通孔及所述环结构包括：

形成介电衬垫，所述介电衬垫至少部分地对所述多个通孔开口及所述环结构开口进行衬里；

在所述多个通孔开口及所述环结构开口中沉积导电材料；及

在所述导电材料中执行平坦化工艺，从而在所述环结构开口中界定导电体，且在所述多个通孔开口中界定所述多个导通孔，其中所述环结构包括所述介电衬垫及所述导电体，使得所述介电衬垫将所述导电体与所述电阻层的所述电阻器区段分开。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导通孔及所述环结构同时形成。

10.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述导电结构的工艺包括：

在所述电阻层之上沉积导电层；

在所述导电层之上沉积介电层；

在所述介电层及所述导电层上执行干法刻蚀工艺，从而在所述导电层之上界定介电结构；及

在所述导电层上执行湿法刻蚀工艺，从而界定所述导电结构，使得所述介电结构的宽度大于所述导电结构的宽度。