[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

结合垫，设置在半导体衬底之上；

刻蚀停止层，上覆在所述结合垫上；

缓冲层，设置在所述结合垫之上且将所述刻蚀停止层与所述结合垫隔开；以及

凸块结构，包括基部部分及上部部分，所述基部部分接触所述结合垫的上表面，所述上部部分延伸穿过所述刻蚀停止层及所述缓冲层，其中所述凸块结构的所述基部部分具有第一宽度或直径且所述凸块结构的所述上部部分具有第二宽度或直径，所述第一宽度或直径大于所述第二宽度或直径。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述凸块结构的所述基部部分在弯曲侧壁处与所述缓冲层交会，且所述凸块结构的所述上部部分在垂直侧壁处与所述刻蚀停止层交会。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述刻蚀停止层是由第一材料构成且所述缓冲层是由与所述第一材料不同的第二材料构成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述凸块结构的底表面与所述缓冲层的底表面对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述凸块结构的所述上部部分包括：

下部导电结构，包含第一导电材料；以及

上部导电结构，设置在所述下部导电结构之上，其中所述上部导电结构包含与所述第一导电材料不同的第二导电材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，

其中所述结合垫的所述上表面包括外围区及中心区，所述外围区在所述半导体衬底的上表面之上具有第一高度，所述中心区在所述半导体衬底的所述上表面之上具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度；且

其中所述凸块结构的所述基部部分在第三高度处与所述凸块结构的所述上部部分交会，所述第三高度小于所述第一高度且大于所述第二高度。

7.一种半导体器件结构，包括：

内连结构，上覆在衬底上，所述内连结构包括最顶部导电配线；

钝化结构，上覆在所述内连结构上；

结合垫，上覆在所述最顶部导电配线上，其中所述结合垫延伸穿过所述钝化结构且直接接触所述最顶部导电配线的顶表面，其中所述结合垫具有在垂直方向上位于所述结合垫的顶表面下方的上表面，且其中所述结合垫的所述上表面在垂直方向上位于所述钝化结构的顶表面下方；

刻蚀停止层，上覆在所述结合垫及所述钝化结构上；

缓冲层，设置在所述刻蚀停止层与所述结合垫之间，其中所述结合垫沿着所述缓冲层的下侧连续地延伸并以杯状包围所述缓冲层的所述下侧；以及

凸块结构，包括基部部分及上部部分，所述基部部分接触所述结合垫的所述上表面且设置在所述缓冲层内，所述上部部分从所述基部部分向上延伸且延伸穿过所述刻蚀停止层及所述缓冲层，其中所述基部部分具有在所述缓冲层内界定的第一宽度，且所述上部部分具有在所述缓冲层的顶表面上方界定的第二宽度，且其中所述第一宽度大于所述第二宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中所述凸块结构的所述基部部分是在所述缓冲层的底表面与所述缓冲层的上表面之间界定，所述缓冲层的所述底表面直接接触所述结合垫的所述上表面，且所述缓冲层的所述上表面直接接触所述刻蚀停止层，所述凸块结构的所述基部部分具有弯曲外侧壁。