[发明专利]半导体装置

说明书

本公开提供半导体装置及其形成方法。根据一实施例的半导体装置包含第一栅极堆叠、第二栅极堆叠、设置在第一栅极堆叠和第二栅极堆叠之间的第一源极/漏极部件以及在第一源极/漏极部件上方并与第一源极/漏极部件电耦合的源极/漏极接触件。源极/漏极接触件与第一栅极堆叠和第二栅极堆叠中的每一个由设置在源极/漏极接触件的侧壁上的内间隔物、第一气隙、第一栅极间隔物和第二气隙隔开，第一气隙和第二气隙由第一栅极间隔物隔开。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术，特别涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体产业已历经快速成长。半导体材料和设计上的技术进展已产生了数个世代的半导体装置，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路(integratedcircuit，IC)演进的历程中，当几何尺寸(亦即使用生产工艺可以产生的最小元件(或线))缩减时，功能密度(亦即单位芯片面积的内连接装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。然而，这样的尺寸微缩也增加了加工和制造集成电路的复杂度。

举例来说，已开发出许多方法来将结构部件引入鳍式场效晶体管(fin-likeFETs，FinFET)中，以改善装置效能，例如像是降低鳍式场效晶体管中的导电部件之间的寄生电容。虽然这些方法通常是足够的，但它们并非在所有面向皆令人满意。

发明内容

根据一些实施例提供半导体装置。此半导体装置包含第一栅极堆叠、第二栅极堆叠、设置在第一栅极堆叠和第二栅极堆叠之间的第一源极/漏极部件、以及在第一源极/漏极部件上方并与第一源极/漏极部件电耦合的源极/漏极接触件。源极/漏极接触件与第一栅极堆叠和第二栅极堆叠中的每一个由设置在源极/漏极接触件的侧壁上的内间隔物、沿着内间隔物设置的第一气隙、第一栅极间隔物和第二气隙隔开，第一气隙和第二气隙由第一栅极间隔物隔开。

根据另一些实施例提供半导体装置。此半导体装置包含第一鳍片、第二鳍片、在第一鳍片的源极/漏极区上方的第一源极/漏极部件、在第二鳍片的源极/漏极区上方的第二源极/漏极部件、在第一鳍片和第二鳍片上方的第一栅极堆叠、在第一鳍片和第二鳍片上方的第二栅极堆叠、以及在第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件上方并与第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件电耦合的源极/漏极接触件。第二源极/漏极部件在合并部分与第一源极/漏极部件合并。源极/漏极接触件由第一气隙与第一栅极堆叠和第二栅极堆叠中的每一个隔开。第一气隙在合并部分下方延伸。

根据又另一些实施例提供半导体装置的制造方法。此方法包含提供工件。工件包含第一鳍片，第一鳍片包含第一通道区和邻近第一通道区的第一源极/漏极区、在第一通道区上方的栅极堆叠、在第一源极/漏极区上方的第一源极/漏极部件、在栅极堆叠的侧壁上方的第一间隔物、在第一间隔物的侧壁上方的第二间隔物、在第二间隔物的侧壁上方的第三间隔物、以及在第三间隔物的上方的第一介电层。此方法还包括选择性地移除第二间隔物以在第一间隔物和第三间隔物之间形成第一气隙，形成穿过第一介电层的开口以暴露出第一源极/漏极部件，在开口中沉积牺牲间隔物，在牺牲间隔物上方沉积内间隔物，在内间隔物上方沉积金属填充层，以及移除牺牲间隔物以形成第二气隙。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A和图1B根据本发明实施例中的各种实施例绘示用于制造半导体装置的例示性方法的流程图。

图2是根据本发明实施例中的各种实施例的经历生产工艺的各个阶段的工件的三维透视图。