[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一栅极堆叠；

一第二栅极堆叠；

一第一源极/漏极部件，设置于该第一栅极堆叠和该第二栅极堆叠之间；以及

一源极/漏极接触件，位于该第一源极/漏极部件上方并与该第一源极/漏极部件电耦合，

其中该源极/漏极接触件与该第一栅极堆叠和该第二栅极堆叠中的每一个隔开，通过：

一内间隔物，设置于该源极/漏极接触件的侧壁上，

一第一气隙，设置成沿着该内间隔物，

一第一栅极间隔物，及

一第二气隙，该第一气隙和该第二气隙由该第一栅极间隔物隔开。