[发明专利]封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件在审
申请号: | 202010372101.7 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN112951794A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 池润禔;金台城 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/065 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 包括 芯片 | ||
提供一种封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件,所述封装基板包括:基板;第一结构,设置在所述基板上并具有第一贯通部;第一布线层,设置在所述基板上,并位于所述第一贯通部中;第一绝缘层,设置在所述基板上,位于所述第一贯通部中,并且覆盖所述第一布线层的至少一部分;以及第二布线层,设置在所述第一绝缘层上。
本申请要求于2019年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0163279号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件。
背景技术
与使用单个硅裸片制造整个系统芯片的情况相比,在将裸片划分为小芯片(chiplet)的情况下,芯片的制造成本可进一步降低并且由于低良率而导致的处置成本也可降低。随着小芯片化的最新趋势,小芯片之间的互连技术已经出现。例如,已经开发了包括硅中介层的基板、包括能够实现裸片间电连接的硅基互连桥的基板等。然而,这样的技术需要制造昂贵的硅互连裸片。此外,在硅基互连桥的情况下,由于桥的硅材料与基板的有机材料之间的热膨胀系数(CTE)不匹配而出现可靠性问题。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种能够提供相对廉价的多芯片互连的封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件。
本公开的另一方面在于提供一种能够降低良率减少风险的封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件。
本公开的另一方面在于提供一种在布线设计方面自由度高的封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件。
本公开的另一方面在于提供一种具有改善的可靠性(对弯曲控制有利)的封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件。
本公开的另一方面在于提供一种能够形成纤薄结构的封装基板和包括该封装基板的多芯片封装件。
根据本公开的一方面,通过在基板上形成坝状结构,并且在穿过该结构设置的贯通部中依次形成布线层、绝缘层等,来实现精细电路。
例如,一种封装基板包括:基板;第一结构,设置在所述基板上并具有第一贯通部;第一布线层,设置在所述基板上,并位于所述第一贯通部中;第一绝缘层,设置在所述基板上,位于所述第一贯通部中,并且覆盖所述第一布线层的至少一部分;以及第二布线层,设置在所述第一绝缘层上。
例如,一种多芯片封装件包括:封装基板,所述封装基板包括基板、第一结构、第一布线层、第一绝缘层以及第二布线层,所述第一结构设置在所述基板上并具有第一贯通部,所述第一布线层设置在所述基板上并位于所述第一贯通部中,所述第一绝缘层设置在所述基板上并位于所述第一贯通部中并且覆盖所述第一布线层的至少一部分,所述第二布线层设置在所述第一绝缘层上;第一半导体芯片,设置在所述封装基板上并具有第一连接垫;以及第二半导体芯片,在所述第一半导体芯片附近设置在所述封装基板上并具有第二连接垫。所述第一连接垫中的至少一个与所述第二连接垫中的至少一个通过所述第一布线层彼此电连接。
例如,一种封装基板包括:基板;坝状结构,设置在所述基板上;第一图案,设置在所述坝状结构的内部并位于所述基板上;第二图案,设置在所述坝状结构的外部并位于所述基板上;绝缘层,仅覆盖所述第一图案和所述第二图案中的所述第一图案;布线层,设置在所述绝缘层上;以及过孔层,设置在所述绝缘层中并将所述第一图案连接到所述布线层。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的上述和其他方面、特征和优点将会被更加清楚地理解,其中:
图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图;
图2是示出电子装置的示例的示意性透视图;
图3是根据示例的多芯片封装件的示意性截面图;
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