[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构沿第一方向延伸；

位于所述栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂层；

位于所述源漏掺杂层上的第一导电结构；

位于所述栅极结构顶部和所述第一导电结构上的开口，所述开口沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向不同；

位于所述开口内与所述第一导电结构电绝缘的第二导电结构，所述第二导电结构与所述栅极结构接触。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述开口沿所述第二方向贯穿两侧的所述第一导电结构。

3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述开口沿所述第二方向不贯穿两侧的所述第一导电结构。

4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构的数量包括若干条，所述第一导电结构位于相邻的所述栅极结构之间，且所述第一导电结构沿所述第一方向延伸。

5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层、位于所述栅介质层上的栅极层、位于所述栅极层上的保护层、以及位于所述栅极层和所述保护层两侧的侧墙；所述第一导电结构位于部分所述保护层的顶部表面，且所述第一导电结构与所述侧墙相接触。

6.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构的深宽比为1:1～2:1。

7.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第二导电结构的深宽比为0.5:1～2:1。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的若干相互分立的鳍部，所述鳍部沿所述第二方向延伸；所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；所述源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内。

9.如权利要求8所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁。

10.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构和所述源漏掺杂层，且所述第一介质层暴露出所述栅极结构的顶部表面；位于所述第一介质层上的第二介质层，所述第一导电结构位于所述第一介质层和所述第二介质层内，所述开口还位于所述第一介质层和所述第二介质层内，且所述第二介质层暴露出所述第一导电结构和所述第二导电结构的顶部表面。

11.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构的材料包括金属，所述金属包括钨。

12.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第二导电结构的材料包括金属，所述金属包括钨。

13.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述开口内的绝缘层，所述绝缘层位于所述第一导电结构和所述第二导电结构之间。

14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构沿第一方向延伸；

在所述栅极结构两侧衬底内形成源漏掺杂层；

在所述源漏掺杂层上形成第一导电结构；

在所述栅极结构顶部和所述第一导电结构上形成开口，所述开口沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向不同；

在所述开口内形成与第一导电结构电绝缘第二导电结构，所述第二导电结构与所述栅极结构接触。

15.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口沿所述第二方向贯穿两侧的所述第一导电结构。