[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 202010315948.1 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN112992831A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 曾庭箴;郭宏瑞;胡毓祥;廖思豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/528;H01L23/31 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括半导体管芯、多个导电柱、绝缘包封体、重布线路结构及阻焊层。导电柱排列在半导体管芯旁边。绝缘包封体包封半导体管芯及导电柱,且绝缘包封体具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。重布线路结构位于绝缘包封体的第一表面上。阻焊层位于绝缘包封体的第二表面上,其中阻焊层的材料包含填料。
技术领域
本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。
背景技术
通常将半导体装置及集成电路制造在单个半导体晶片上。可在晶片级上处理晶片的管芯并将所述管芯与其他半导体装置或管芯封装在一起,且已针对晶片级封装开发出各种技术。
发明内容
本发明实施例提供一种封装结构包括半导体管芯、多个导电柱、绝缘包封体、重布线路结构及阻焊层。导电柱排列在半导体管芯旁边。绝缘包封体包封半导体管芯及导电柱,且绝缘包封体具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。重布线路结构位于绝缘包封体的第一表面上。阻焊层位于绝缘包封体的第二表面上,其中阻焊层的材料包含填料。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,能最好地理解本公开的各方面。注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。事实上,为论述的清晰起见,可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
图1到图8是根据本公开的一些实施例的封装结构的制造方法中的各个阶段的示意性剖视图。
图9是根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖视图。
图10是根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖视图。
图11是根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖视图。
图12到图14是根据本公开的一些实施例的封装结构的制造方法中的各个阶段的示意性剖视图。
图15是根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖视图。
图16是根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖视图。
图17是根据本公开的一些实施例的封装结构的示意性剖视图。
[符号的说明]
10a、10b、10c、10d:封装结构/半导体封装
110a、110b:阻焊层
120:导电柱
120b:底表面/表面
120s、130s、SW1、SW2:侧壁
120t、130t、140t:顶表面
130、820a、820b:半导体管芯
130b:后侧表面
131、810:衬底
130a:有源表面
132、840、850:导电垫
133:钝化层
134:钝化后层
135:连接通孔
136:保护层
140、140a、860:绝缘包封体
140b:底表面
150、190:重布线路结构
152、152a、152b、152c、152d、192:介电层
154、154a、154b、154c、194:金属化层
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