[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：

在被动元件具有电性连接键的表面形成第一保护层，并在所述第一保护层上形成第一保护层开口；其中，所述第一保护层开口与所述被动元件的电性连接键相对应；

在待封装的裸片正面形成第二保护层，并在所述第二保护层上形成第二保护层开口；其中，所述待封装的裸片正面设有焊垫，所述第二保护层开口与所述待封装的裸片正面的焊垫相对应；

将所述被动元件和所述待封装的裸片间隔贴装于载板上；其中，所述待封装的裸片的正面朝向所述载板，所述被动元件具有电性连接键的表面朝向所述载板；

形成包封层，所述包封层至少包封所述待封装芯片和所述被动元件。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在待封装的裸片正面形成第二保护层之后，将所述待封装的裸片贴装于载板上之前，所述方法包括：

通过研磨所述待封装的裸片的背面，对所述待封装的裸片进行减薄。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述方法包括：

剥离所述载板。

4.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，在剥离所述载板之后，所述方法包括：

在所述第一保护层开口内填充第一导电介质，形成第一电连接部，在所述第二保护层开口内填充第二导电介质，形成第二电连接部，以及在所述第一保护层远离所述被动元件的表面和所述第二保护层远离所述裸片的表面形成布线层；所述布线层通过所述第一电连接部与所述被动元件的电性连接键电连接、以及通过所述第二电连接部与所述裸片正面的焊垫电连接。

5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一电连接部、所述第二电连接部以及所述布线层在同一导电层工艺中形成；或，

所述第一电连接部、所述第二电连接部在同一导电层工艺中形成，所述布线层在另一导电层工艺中形成。

6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述第一保护层上形成第一保护层开口，和在所述第二保护层上形成第二保护层开口之后，将所述被动元件和所述待封装的裸片贴装于载板上之前，所述方法包括：

在所述第一保护层开口内填充第一导电介质，形成能够与所述被动元件的电性连接键电连接的第一电连接部，以及在所述第二保护层开口内填充第二导电介质，形成能够与所述待封装的裸片正面的焊垫电连接的第二电连接部。

7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述半导体封装方法包括：

剥离所述载板；

在所述第一保护层远离所述被动元件的表面以及所述第二保护层远离所述裸片的表面形成布线层，所述布线层与所述被动元件的电性连接键电连接、以及与所述裸片正面的焊垫电连接。

8.如权利要求4或5或7所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成布线层之后，所述方法还包括：

在所述布线层远离所述裸片和所述被动元件一侧的表面上形成第三电连接部。

9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述第三电连接部之后，所述方法包括：

在所述布线层上形成介电层，所述介电层能够包覆露出的所述布线层、部分所述第三电连接部以及露出的保护层，且所述第三电连接部远离所述布线层的表面露出所述介电层。

10.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：

包封层，设有多个相间隔且内凹的第一腔体和第二腔体；

被动元件，位于所述第一腔体内；

裸片，位于所述第二腔体内，且所述裸片的背面朝向所述第二腔体的底部；

第一保护层，形成于所述被动元件具有电性连接键的表面，且所述第一保护层上形成有第一保护层开口，所述第一保护层开口位于所述被动元件上的电性连接键处；

第二保护层，形成于所述裸片的正面，且所述第二保护层上形成有第二保护层开口，所述第二保护层开口位于所述裸片的焊垫处；

布线结构，包括布线层和位于布线层上的第三电连接部，位于所述第一保护层远离所述被动元件的一侧的表面以及所述第二保护层远离所述裸片一侧的表面，用于将所述裸片正面的焊垫和所述被动元件的电性连接键引出。