[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 202010231981.6 申请日: 2020-03-27
公开(公告)号: CN113725100A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 周辉星 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 张相钦
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【说明书】:

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。其中,半导体封装方法包括在被动元件具有电性连接键的表面形成第一保护层,并在所述第一保护层上形成第一保护层开口;其中,所述第一保护层开口与所述被动元件的电性连接键相对应。在待封装的裸片正面形成第二保护层,并在所述第二保护层上形成第二保护层开口;其中,所述待封装的裸片正面设有焊垫,所述第二保护层开口与所述待封装的裸片正面的焊垫相对应。将所述被动元件和所述待封装的裸片间隔贴装于载板上;其中,所述待封装的裸片的正面朝向所述载板,所述被动元件具有电性连接键的表面朝向所述载板。形成包封层,所述包封层至少包封所述待封装芯片和所述被动元件。

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

背景技术

目前,在半导体封装过程中,常常需要将裸片和被动件,例如电容、电阻、电感等,封装在一个封装体中,以实现一定的功能。这种具有裸片和被动件的封装体的封装技术,一直备受关注。

发明内容

本申请的一个方面提供一种半导体封装方法,其包括:

在被动元件具有电性连接键的表面形成第一保护层,并在所述第一保护层上形成第一保护层开口;其中,所述第一保护层开口与所述被动元件的电性连接键相对应;

在待封装的裸片正面形成第二保护层,并在所述第二保护层上形成第二保护层开口;其中,所述待封装的裸片正面设有焊垫,所述第二保护层开口与所述待封装的裸片正面的焊垫相对应;

将所述被动元件和所述待封装的裸片间隔贴装于载板上;其中,所述待封装的裸片的正面朝向所述载板,所述被动元件具有电性连接键的表面朝向所述载板;

形成包封层,所述包封层至少包封所述待封装芯片和所述被动元件。

可选的,在待封装的裸片正面形成第二保护层之后,将所述待封装的裸片贴装于载板上之前,所述方法包括:

通过研磨所述待封装的裸片的背面,对所述待封装的裸片进行减薄。

可选的,在形成所述包封层之后,所述方法包括:

剥离所述载板。

可选的,在剥离所述载板之后,所述方法包括:

在所述第一保护层开口内填充第一导电介质,形成第一电连接部,在所述第二保护层开口内填充第二导电介质,形成第二电连接部,以及在所述第一保护层远离所述被动元件的表面和所述第二保护层远离所述裸片的表面形成布线层;所述布线层通过所述第一电连接部与所述被动元件的电性连接键电连接、以及通过所述第二电连接部与所述裸片正面的焊垫电连接。

可选的,所述第一电连接部、所述第二电连接部以及所述布线层在同一导电层工艺中形成;或,

所述第一电连接部、所述第二电连接部在同一导电层工艺中形成,所述布线层在另一导电层工艺中形成。

可选的,在所述第一保护层上形成第一保护层开口,和在所述第二保护层上形成第二保护层开口之后,将所述被动元件和所述待封装的裸片贴装于载板上之前,所述方法包括:

在所述第一保护层开口内填充第一导电介质,形成能够与所述被动元件的电性连接键电连接的第一电连接部,以及在所述第二保护层开口内填充第二导电介质,形成能够与所述待封装的裸片正面的焊垫电连接的第二电连接部。

可选的,在形成所述包封层之后,所述半导体封装方法包括:

剥离所述载板;

在所述第一保护层远离所述被动元件的表面以及所述第二保护层远离所述裸片的表面形成布线层,所述布线层与所述被动元件的电性连接键电连接、以及与所述裸片正面的焊垫电连接。

可选的,在形成布线层之后,所述方法还包括:

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