[发明专利]FinFET器件的鳍片制作方法

说明书

一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。本发明的FinFET器件的鳍片制作方法设计新颖，实用性强。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种FinFET器件的鳍片制作方法。

背景技术

鳍片刻蚀是FinFET制造过程中的一个常规步骤。鳍片轮廓是蚀刻后形成的，具体通过采用包括芯材蚀刻、间隔蚀刻和芯材去除技术的自对准双模(SADP)工艺形成，如图1所示。在现有技术中，鳍片的形状和宽度难以调整，鳍片的底座不够宽，经过FCVD后的收缩加工，鳍片容易在鳍片切割区域附近弯曲，如图2-图3中方框所围部分所示。

发明内容

本发明针对上述技术问题，提出了一种FinFET器件的鳍片制作方法。

本发明所提出的技术方案如下：

本发明提出了一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：

步骤S1、在半导体衬底上蚀刻出蚀刻槽，以使邻近两个蚀刻槽之间形成鳍片；

步骤S2、在蚀刻槽中施布ODL，以使ODL达到鳍片的一定高度；

步骤S3、采用氟基团对鳍片的位于ODL上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片蚀刻成塔状。

本发明上述的鳍片制作方法中，在步骤S3中，采用氟基团或氯基团对鳍片的位于ODL上方的部分进行干法腐蚀。

本发明上述的鳍片制作方法中，在步骤S3中，采用CF₄对鳍片的位于ODL上方的部分进行干法腐蚀。

本发明上述的鳍片制作方法中，包括以下步骤：

步骤S1、在半导体衬底上蚀刻出蚀刻槽，以使邻近两个蚀刻槽之间形成鳍片；

步骤S2、在蚀刻槽中施布ODL，以使ODL达到鳍片的一定高度；

步骤S3、对鳍片的位于ODL上方的部分进行氧气处理并进行湿法腐蚀，以将鳍片蚀刻成塔状。

本发明上述的鳍片制作方法中，在步骤S3之后，本实施例的FinFET器件的鳍片制作方法还包括：去除ODL。

本发明上述的鳍片制作方法中，包括以下步骤：

步骤S1、在半导体衬底上蚀刻出蚀刻槽，以使邻近两个蚀刻槽之间形成鳍片；

步骤S2、采用氧气原位钝化鳍片的外壁；

步骤S3、采用SiO₂/Si腐蚀选择比处于30～100之间的腐蚀气体对蚀刻槽的槽底进行干法腐蚀，以将鳍片蚀刻成塔状。

本发明上述的鳍片制作方法中，腐蚀气体选择He、O₂和HBr三者的混和气。

本发明提出的FinFET器件的鳍片制作方法，可以得到具有两个锥角的塔状鳍片，并能够使得鳍片底部宽度更宽，这有助于减少后FCVD收缩过程中鳍片切割区域附近的鳍片弯曲效果。同时，锥角的大小可通过调整ODL厚度。本发明的FinFET器件的鳍片制作方法设计新颖，实用性强。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1示出了一种现有FinFET器件的鳍片制作方法的流程示意图；