[发明专利]一种高质量碳化硅晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202010171114.8 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111334860B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 王佳妹 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高质量碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，采用高温化学气相沉积法制备碳化硅晶体的过程中通入氯气，所述氯气间断通入，每通入一小时即停止一小时，接着继续通入一小时，停止一小时，重复至生长结束，氯气的流速为200sccm，所述氯气从反应腔体的上方通入；制备碳化硅晶体的过程中需通入硅源气体、碳源气体以及载流子气体，且反应温度为2100-2450℃，反应时腔体内压力保持为100-30000pa；所述氯气从所述反应腔体开始升温时通入，至所述反应腔体降温至室温后停止；所述硅源气体的流速为20-200sccm，所述碳源气体的流速为10-100sccm，所述载流子气体的流速为1-5slm。
2.根据权利要求1所述的高质量碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，所述硅源气体包括SiH4，所述碳源气体包括CH4、C2H4、C2H6或C3H8，所述载流子气体包括H2或He。
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