[发明专利]半导体装置以及半导体芯片在审
申请号: | 201980099596.6 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN114270482A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 浅田智之;福田绘理;津波大介 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭忠健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 芯片 | ||
本申请的发明所涉及的半导体装置具备:支承体;半导体芯片,设置于支承体之上;以及芯片接合材料,将半导体芯片的背面与支承体接合,在半导体芯片的背面和与背面相连的侧面所形成的角,形成有多个切口,芯片接合材料遍及多个切口而设置为一体。
技术领域
本发明涉及半导体装置以及半导体芯片。
背景技术
在专利文献1中公开了一种半导体装置,该半导体装置具备半导体芯片、支承半导体芯片的芯片焊盘(die pad)、以及将半导体芯片与芯片焊盘粘合的粘合剂。通过在半导体芯片的侧面下部设置凹凸侧面,使芯片接合时的粘合剂的爬升变得良好,由此即使是小型的半导体芯片,也能够提高与芯片焊盘之间的密接性。
专利文献1:日本特开2018-46289号公报
一般在功率放大用等半导体装置中,期望效率良好的排热。因此,优选使半导体芯片与散热器等接合的芯片接合材料遍及芯片的整个背面。由此,能够尽可能地扩大向散热器的排热面积。对于芯片接合材料是否遍及半导体芯片的整个背面,能够通过例如芯片接合材料中的从半导体芯片伸出的部分的形状等以外观来判断。
但是,在芯片接合材料的涂覆量过多的情况下,存在芯片接合材料爬升至半导体芯片的上表面的可能性。在该情况下,存在芯片接合材料到达形成于半导体芯片的上表面的电极的担忧。由此,产生电极经由芯片接合材料而与散热器导通的不良情况。
另一方面,若为了抑制芯片接合材料的爬升,而减少芯片接合材料的涂覆量,则芯片接合材料难以从半导体芯片伸出。由此,存在无法从外观确认芯片接合材料是否遍及半导体芯片的整个背面的担忧。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而做出的,其目的在于得到一种容易确认芯片接合材料所扩展的范围的半导体装置以及半导体芯片。
本申请的第一发明所涉及的半导体装置具备:支承体;半导体芯片,设置于该支承体之上;以及芯片接合材料,将该半导体芯片的背面与该支承体接合,在该半导体芯片的该背面和与该背面相连的侧面所形成的角,形成有多个切口,该芯片接合材料遍及该多个切口而设置为一体。
本申请的第二发明所涉及的半导体装置具备:支承体;半导体芯片,设置于该支承体之上;以及芯片接合材料,将该半导体芯片的背面与该支承体接合,该半导体芯片具有设置于该支承体之上的透明或半透明的半导体基板,在该半导体基板的与该支承体对置的背面的外周部形成有多个凹部,该芯片接合材料遍及该多个凹部而设置为一体。
本申请的第三发明所涉及的半导体装置具备:支承体;半导体芯片,设置于该支承体之上;以及芯片接合材料,将该半导体芯片的背面与该支承体接合,该半导体芯片具有设置于该支承体之上的半导体基板,在该半导体基板的外周部形成有多个凹部,该多个凹部分别将该半导体基板从与该支承体对置的背面贯通到与该背面对置的上表面,该半导体芯片具有多个导体,该多个导体分别从该半导体基板的该上表面侧埋入到该多个凹部,该芯片接合材料遍及该多个凹部而设置为一体。
本申请的第四发明所涉及的半导体芯片具备:半导体基板;电极,设置于该半导体基板的上表面;以及背面导体,设置于该半导体基板的与该上表面对置的面亦即背面,在该半导体基板的该背面和与该背面相连的侧面所形成的角,形成有多个第一切口,在该背面导体形成有多个第二切口,该多个第二切口分别与该多个第一切口相连,并且从与该半导体基板对置的第一面贯通到与该第一面对置的第二面。
在本申请的第一发明所涉及的半导体装置中,能够从形成于半导体芯片的多个切口确认芯片接合材料的状态。因此,容易确认芯片接合材料所扩展的范围。
在本申请的第二发明所涉及的半导体装置中,能够经由透明或半透明的半导体基板,确认侵入到多个凹部的芯片接合材料。因此,容易确认芯片接合材料所扩展的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造