[实用新型]芯片封装结构

说明书

本发明提供一种芯片封装结构，所述方法包括：封装晶圆、金属凸块、待封装芯片以及塑封层。本发明将待封装芯片直接键合在待封装晶圆上，无需进行外部的重新布线层，形成了双面封装的系统级封装结构，从而提升单一芯片功能，并可以通过本发明的封装方式实现封装体积的优化，另外，通过机械加压的方式控制金属凸块显露于塑封层的高度，从而可以省略对塑封层进行研磨的步骤，简化工艺，提高封装结构的稳定性。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，特别涉及一种芯片封装结构。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，随着人们对功能更强大、性能更佳、能源效率更高、制造成本更低以及外形尺寸越来越小的需求，晶圆级封装(WLPSiP)技术已成为高要求的移动/ 无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。然而，现有的封装结构大多存在功能单一、单面封装以及封装体积大等缺陷。

因此，如何提供一种芯片封装方法及芯片封装结构以解决现有的上述问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种芯片封装结构，用于解决现有技术中封装结构功能单一、单面封装以及封装体积大等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种芯片封装方法，所述封装方法包括：

提供待封装晶圆，并于所述待封装晶圆上制备与其电连接的金属凸块；

提供待封装芯片，将所述待封装芯片键合于所述待封装晶圆上，所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述待封装晶圆的同一侧；

于所述待封装晶圆上形成将所述金属凸块、所述待封装芯片包围的塑封层，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面；以及

对形成所述塑封层后的结构进行切割，以得到独立的芯片封装结构。

可选地，形成所述塑封层之后还包括对所述待封装晶圆远离所述塑封层的一侧进行研磨的步骤。

可选地，进行所述切割之前还包括步骤：将形成有所述塑封层的结构置于切割蓝膜上，并将所述切割蓝膜固定于固定环上。

可选地，形成所述塑封层的工艺包括压缩成型工艺、传递模塑工艺、液体密封剂固化成型工艺、真空层压工艺及旋涂工艺中的一种；所述塑封层的材质包括环氧基树脂、液体型热固环氧树脂及塑性化合物中的一种。

可选地，所述金属凸块的所述连接面高于所述塑封层的上表面；所述塑封层的上表面高于所述待封装芯片的上表面。

可选地，所述待封装晶圆包括内部布线层，所述内部布线层包括第一连接部及第二连接部，其中，所述金属凸块电连接于所述第一连接部上，所述待封装芯片电连接于所述第二连接部上。

本发明还提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构优选采用本发明的芯片封装方法制作得到，当然也可以采用其他方法制备得到，所述芯片封装结构包括：

封装晶圆；

金属凸块，位于所述封装晶圆上；

待封装芯片，键合于所述封装晶圆上，且所述待封装芯片与所述金属凸块设置于所述封装晶圆的同一侧；

塑封层，形成于所述封装晶圆上，所述塑封层将所述金属凸块、所述待封装芯片包围，且所述塑封层显露所述金属凸块的连接面。