[实用新型]一种碳化硅生长设备的两用真空系统

权利要求书

1.一种碳化硅生长设备的两用真空系统，包括腔体(1)、机械泵(2)和干式真空泵(6)，其特征在于，所述腔体(1)连通的管道(3)上安装有一个机械泵(2)，所述干式真空泵(6)的输入端连通两个真空管(8)，两个所述真空管(8)均连通在腔体(1)上，其中一个真空管(8)上还安装有分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10)，所述分子泵(9)连通在干式真空泵(6)和第二电磁式高真空阀门(10)之间，所述腔体(1)还连通有气体管(4)，所述气体管(4)上安装有第一电磁式高真空阀门(5)，所述腔体(1)内还安装有检测装置(11)，所述检测装置(11)电连接控制箱(12)，所述控制箱(12)电连接机械泵(2)、第一电磁式高真空阀门(5)、干式真空泵(6)、分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10)。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅生长设备的两用真空系统，其特征在于，所述干式真空泵(6)的输入端通过一个三通连接头(7)连通两个真空管(8)，所述真空管(8)与三通连接头(7)的连接处还设置有密封圈。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅生长设备的两用真空系统，其特征在于，所述检测装置(11)包括气体传感器、温度传感器和压力传感器。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅生长设备的两用真空系统，其特征在于，所述控制箱(12)包括采集模块、51单片机、i7处理器和驱动板，采集模块采集检测装置(11)发送的检测数据后，传送给i7处理器处理，i7处理器电连接51单片机和驱动板，驱动板电连接机械泵(2)、第一电磁式高真空阀门(5)、干式真空泵(6)、分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10)。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅生长设备的两用真空系统，其特征在于，所述51单片机为80C51单片机。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅生长设备的两用真空系统，其特征在于，所述两用真空系统还配有一个供电电源(13)，所述供电电源(13)通过电源分配器(14)将一部分电源分配给腔体(1)内的检测装置(11)供电，另一部分电源分配给机械泵(2)、第一电磁式高真空阀门(5)、干式真空泵(6)、分子泵(9)和第二电磁式高真空阀门(10)供电。