[实用新型]一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片有效
| 申请号： | 201920552938.2 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN209658187U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朱瑞;许柏松;邱健繁;徐永斌;叶新民 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人： | 赵海波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿通 外延层 衬底层 瞬态电压抑制二极管 阳极金属层 阴极金属层 金属层 阴极区 芯片 本实用新型 原材料供应 原材料加工 产品保护 产品设计 产品性能 分立器件 制造工艺 电场 传统的 高掺杂 原结构 集成电路 横跨 贯穿 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，其特征在于：包括金属层、P++衬底层、P-外延层、P+穿通层和N+阴极区，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层，所述P++衬底层和P-外延层依次设于阳极金属层和阴极金属层之间；所述P+穿通层贯穿P-外延层，P+穿通层与P++衬底层相连通，所述N+阴极区横跨于P+穿通层和P-外延层上。
2.根据权利要求1所述的一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，其特征在于：所述阴极金属层为铝或铝硅或铝硅铜合金，所述阳极金属层为Ti/Ni/Ag组合物或Cr/Ni/Ag组合物或V/Ni/Ag组合物。
3.根据权利要求1所述的一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，其特征在于：所述P++衬底层的厚度为300～530μm，P++衬底层电导率的不大于0.02Ω.cm。
4.根据权利要求1所述的一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，其特征在于：所述P-外延层的厚度为6～12μm，P-外延层的电导率为1～5Ω.cm。
5.根据权利要求1所述的一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，其特征在于：所述阴极金属层的厚度为3～8μm，阳极金属层的厚度为0.5～3μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴新顺微电子有限公司，未经江阴新顺微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920552938.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
