[实用新型]半导体栅极结构有效
| 申请号： | 201920184600.6 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209401624U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 高玮 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体栅极 栅极沟槽 本实用新型 厚度降低 金属栅极 器件电流 器件性能 栅极电阻 填充 | ||
1.一种半导体栅极结构，其特征在于，包括：
具有栅极沟槽的半导体衬底；以及，
金属栅极，填充于所述栅极沟槽中，且所述金属栅极的填充厚度为所述栅极沟槽的深度的1/7～2/5。
2.如权利要求1所述的半导体栅极结构，其特征在于，还包括栅介质层和栅极隔离层，所述栅介质层形成于所述栅极沟槽的侧壁和底壁上，所述栅极隔离层填充于具有所述栅介质层的所述栅极沟槽中，并将所述金属栅极掩埋在内。
3.如权利要求2所述的半导体栅极结构，其特征在于，所述半导体栅极结构还包括第一金属阻挡层，所述第一金属阻挡层形成于所述栅介质层和所述金属栅极之间，所述第一金属阻挡层包围在所述金属栅极的底壁和侧壁上，且暴露出所述金属栅极上方的所述栅介质层表面。
4.如权利要求2所述的半导体栅极结构，其特征在于，所述半导体栅极结构还包括第一金属阻挡层，所述第一金属阻挡层形成于所述栅介质层和所述金属栅极之间，所述第一金属阻挡层包围所述金属栅极的底壁和侧壁，并覆盖所述金属栅极上方的所述栅介质层表面。
5.如权利要求3或4所述的半导体栅极结构，其特征在于，所述半导体栅极结构还包括第二金属阻挡层，所述第二金属阻挡层形成于所述金属栅极的顶表面和所述栅极隔离层之间。
6.如权利要求5所述的半导体栅极结构，其特征在于，所述第一金属阻挡层和所述第二金属阻挡层的材质分别包括氮化铝钛。
7.如权利要求1至4或6中任一项所述的半导体栅极结构，其特征在于，所述栅极沟槽的深度为100nm～130nm，所述金属栅极的填充厚度为20nm～30nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
