[实用新型]钙钛矿量子点电致发光单元及发光器件有效
| 申请号： | 201822173004.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN209401625U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 江峰 | 申请（专利权）人： | 张家港钛光新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 215628 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种钙钛矿量子点电致发光单元，包括TFT控制层、第一介质层以及发光像素单元；所述第一介质层沉积在所述TFT控制层上，所述第一介质层上设有像素槽，所述发光像素单元位于所述像素槽中；所述TFT控制层中的漏极金属延伸至所述像素槽的槽底，作为所述发光像素单元的底电极。该发光单元通过设置TFT(薄膜晶体管)独立控制开关，从而可以调节通过发光像素单元的电流的通断和强弱。 | ||
| 搜索关键词： | 发光像素单元 介质层 控制层 像素 电致发光单元 钙钛矿 量子点 独立控制开关 薄膜晶体管 发光单元 发光器件 漏极金属 底电极 通断 沉积 强弱 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿量子点电致发光单元，其特征在于，包括TFT控制层、第一介质层以及发光像素单元；所述第一介质层沉积在所述TFT控制层上，所述第一介质层上设有像素槽，所述发光像素单元位于所述像素槽中；所述TFT控制层中的漏极金属延伸至所述像素槽的槽底，作为所述发光像素单元的底电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港钛光新材料科技有限公司，未经张家港钛光新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822173004.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体栅极结构
- 下一篇：正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
