[发明专利]具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201610723852.2 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106816470B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林智伟;王智麟;郭康民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层。栅极介电层位于半导体衬底和功函层之间。该半导体器件结构也包括卤素源层。栅极介电层位于半导体衬底和卤素源层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 堆叠 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠件，位于所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层，并且所述栅极介电层位于所述半导体衬底和所述功函层之间；以及卤素源层，其中，所述栅极介电层位于所述半导体衬底和所述卤素源层之间。
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