[发明专利]一种具有电流采样功能的LDMOS器件

摘要

一种具有电流采样功能的LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）。本发明通过控制主功率器件和电流检测功率器件的沟道区宽度之比以实现电流采样。通过主功率器件和电流检测功率器件共用漏极结构以达到节省芯片面积的目的；同时通过短接主功率器件和电流采样功率器件各自的P+接触区和N+接触区（与各自的源极金属相连），并且将电流采样功率器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流采样功率器件的P型体区与衬底完全隔离，实现了电流检测功率器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应，最终使得电流检测功率器件对主功率器件电流进行准确采样的目的。

主权项

一种具有电流采样功能的LDMOS器件，包括主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101），所述主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）集成于同一半导体衬底（1）上；所述电流检测LDMOS器件（101）的沟道区宽度为W2，所述主功率LDMOS器件（100）的沟道区宽度为W1，其中W1＞＞W2，电流检测LDMOS器件（101）的电流能力与主功率LDMOS器件（100）的电流能力之比为W2/W1；所述主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）采用共同的漏极结构，即采用同一N+漏极区（4）和金属化漏极（11）；所述电流检测LDMOS器件（101）的P型体区（12）做在一个N型阱区（3）中，使得电流检测LDMOS器件（101）的P型体区（12）与半导体衬底（1）相互隔离，以实现电流检测LDMOS器件（101）的源极电压浮动；所述主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）各自的源极P+接触区（5）和源极N+接触区（6）与各自的源极金属（10、13）连接，以消除衬偏效应。