[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，其特征在于：包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导线以及模封体，所述引线框架包括第一贴片区、设于所述第一贴片区一侧的第二贴片区、设于所述第一贴片区远离所述第二贴片区一侧并与所述第一贴片区连接的第一引脚、以及与所述第二贴片区连接的第二引脚，所述第一芯片贴设于所述第一贴片区，所述第二芯片贴设于所述第二贴片区；所述第一芯片、所述第二芯片、所述第一引脚以及所述第二引脚之间通过所述导线连通；所述第一贴片区、所述第二贴片区、所述第一芯片、所述第二芯片、所述第一引脚与所述第一贴片区连接的一端、以及所述第二引脚与所述第二贴片区连接的一端均封装于所述模封体内，所述第一贴片区贴设有所述第一芯片的面低于所述第二贴片区贴设有所述第二芯片的面。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，定义所述引线框架贴设有所述第一芯片和所述第二芯片的一面为顶面，与所述顶面相背的一面为底面，所述引线框架还包括弯折连接部，所述第一贴片区与所述第二贴片区在垂直于所述顶面的方向上平行间隔设置，所述弯折连接部从所述第一引脚朝向所述底面的一侧弯折并连接所述第一贴片区，所述第一芯片的底部通过锡线固定于所述第一贴片区。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第二贴片区贴设有所述第二芯片的面到所述第一贴片区贴设有所述第一芯片的面的距离为900±50um。

4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述模封体以所述引线框架为界包括为位于顶面一侧的上半模封体和位于所述底面一侧的下半模封体，所述上半模封体对应所述第一贴片区处设有通槽。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述通槽位于所述第一贴片区靠近所述第二贴片区的一侧或者所述通槽位于所述第一贴片区靠近所述第一引脚的一侧。

6.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述下半模封体远离所述第一贴片区的一侧到所述第一贴片区的距离为500±50um。

7.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述上半模封体远离所述第一贴片区的一侧到所述第一贴片区的距离为2500±50um。

8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一贴片区包括第一贴片焊盘、第二贴片焊盘、第三贴片焊盘以及第四贴片焊盘，所述第一贴片焊盘、所述第二贴片焊盘、所述第三贴片焊盘以及所述第四贴片焊盘并排间隔设置，所述第一芯片设有十二个，所述第一贴片焊盘上贴设有六个所述第一芯片，所述第二贴片焊盘、所述第三贴片焊盘以及所述第四贴片焊盘各贴设有两个所述第一芯片，十二个所述第一芯片在所述第一贴片区呈阵列设置。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述模封体的正反面均设有沿所述通槽边缘排布的收缩顶针位。

10.根据权利要求1-9任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一引脚和所述第二引脚的总数为25或者26，所述第一引脚和所述第二引脚的长度为14mm、11.7mm或9.5mm。