[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置以及制造半导体装置的方法。根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法可包括：形成包括第一部分和第二部分的第一牺牲层，第二部分的厚度比第一部分的厚度厚；在第一牺牲层上形成包括彼此交替的第一材料层和第二材料层的层叠物；形成穿过层叠物并延伸到第一部分的沟道结构；形成穿过层叠物并延伸到第二部分的狭缝；通过狭缝去除第一牺牲层以形成第一开口；以及在第一开口中形成连接到沟道结构的第二源极层。

技术领域

本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。

背景技术

非易失性存储器元件是即使当电源被切断时也维持所存储的数据的存储器元件。最近，随着在基板上按单层形成存储器单元的二维非易失性存储器元件的集成度达到极限，已提出了在基板上垂直地层叠存储器单元的三维非易失性存储器元件。

三维非易失性存储器元件包括交替地层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿过层间绝缘层和栅电极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。已开发出各种结构和制造方法以改进具有这种三维结构的非易失性存储器元件的操作可靠性。

发明内容

本公开的实施方式提供了一种具有稳定的结构和改进的特性的半导体装置。本公开还提供了一种制造半导体装置的方法。

根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法可包括以下步骤：形成包括第一部分和第二部分的第一牺牲层，该第二部分的厚度比第一部分的厚度厚；在第一牺牲层上形成包括彼此交替的第一材料层和第二材料层的层叠物；形成穿过该层叠物并延伸到第一部分的沟道结构；形成穿过该层叠物并延伸到第二部分的狭缝；通过狭缝去除第一牺牲层以形成第一开口；以及在第一开口中形成连接到沟道结构的第二源极层。

根据本公开的实施方式的制造半导体装置的方法可包括形成第一源极层并在第一源极层中形成第一开口。该方法还可包括在第一源极层上形成包括第一部分和第二部分的第一牺牲层，其中，第二部分形成在第一开口中。该方法可另外包括以下步骤：在第一牺牲层上形成包括彼此交替的牺牲层和绝缘层的层叠物；形成沟道结构，该沟道结构穿过该层叠物并具有位于第一源极层中的底表面；形成狭缝，该狭缝穿过该层叠物并具有位于第二部分中的底表面；通过狭缝去除第一牺牲层以形成第二开口；以及在第二开口中形成连接到沟道结构的第二源极层。

根据本公开的实施方式的半导体装置可包括：第一源极层，其包括第一部分和第二部分，该第二部分的厚度比第一部分的厚度厚；位线；层叠物，其位于第一源极层和位线之间，其中，该层叠物包括彼此交替的导电层和绝缘层。该半导体装置还可包括：沟道结构，其穿过层叠物并延伸到第一部分；以及狭缝，其穿过层叠物并延伸到第二部分。

可提供一种具有稳定的结构和改进的可靠性的半导体装置。另外，在制造半导体装置时，工艺的难度可降低，过程可简化，并且成本可降低。

附图说明

图1A至图1C是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的横截面图。

图2A至图2L是用于描述根据本公开的实施方式的半导体装置的制造方法的横截面图。

图3是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图。

图4是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图。

图5是示出根据本公开的实施方式的计算系统的配置的框图。

图6是示出根据本公开的实施方式的计算系统的框图。

具体实施方式

以下，描述本公开的实施方式。在附图中，厚度和距离是为了描述方便而表示的，并且相对于实际物理厚度可能被夸大。在描述本公开时，可省略与本公开的主旨无关的已知配置。应该注意的是，在向各个附图的组件添加标号时，即使相同的组件示出于不同的附图中，可能的话相同的组件也具有相同的标号。