[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成第一牺牲层，该第一牺牲层包括第一部分和第二部分，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度厚；

在所述第一牺牲层上形成层叠物，该层叠物包括彼此交替的第一材料层和第二材料层；

形成沟道结构，该沟道结构穿过所述层叠物并且延伸到所述第一部分；

形成狭缝，该狭缝穿过所述层叠物并且延伸到所述第二部分；

通过所述狭缝去除所述第一牺牲层以形成第一开口；以及

在所述第一开口中形成连接到所述沟道结构的第二源极层。

2.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第一牺牲层之前，形成包括第二开口的第一源极层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一源极层上形成所述第一牺牲层，并且在所述第二开口中形成所述第二部分。

4.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第一牺牲层之前，在所述第一源极层上形成第二牺牲层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一牺牲层包括多晶硅，并且所述第二牺牲层包括氧化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

通过所述狭缝去除所述第一材料层以形成多个第三开口；

分别在多个所述第三开口中形成第三材料层；以及

分别在多个所述第三开口中形成密封层。

7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第一开口之前，通过所述狭缝利用第三材料层替换所述第一材料层。

8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第一开口之前，在所述狭缝中形成间隔物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟道结构包括沟道层以及围绕所述沟道层的存储器层。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第二源极层之前，通过所述第一开口部分地去除所述存储器层。

11.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第二源极层之后，执行热处理工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二源极层或第一源极层中的掺杂剂通过所述热处理工艺扩散到所述沟道结构。

13.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成第一源极层；

在所述第一源极层中形成第一开口；

在所述第一源极层上形成第一牺牲层，该第一牺牲层包括第一部分和第二部分，其中，所述第二部分形成在所述第一开口中；

在所述第一牺牲层上形成层叠物，该层叠物包括彼此交替的牺牲层和绝缘层；

形成沟道结构，该沟道结构穿过所述层叠物并且具有设置在所述第一源极层中的底表面；

形成狭缝，该狭缝穿过所述层叠物并且具有设置在所述第二部分中的底表面；

通过所述狭缝去除所述第一牺牲层以形成第二开口；以及

在所述第二开口中形成连接到所述沟道结构的第二源极层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度薄。

15.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在形成所述第二开口之前，通过所述狭缝利用导电层替换所述牺牲层。