[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

说明书

半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括基板。该半导体存储器装置还包括设置在基板的第一区域上的源极结构、连接至源极结构的存储器单元串以及设置在基板的第二区域上的电容器结构。电容器结构与源极结构在水平方向上彼此间隔开。

技术领域

本公开总体上涉及半导体存储器装置及其制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置及其制造方法。

背景技术

为了实现高度集成的半导体存储器装置，已经提出了包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。已经以各种方式开发了三维半导体存储器装置，以增加布置在有限区域中的存储器单元的密度并减小芯片尺寸。然而，这种形状因子的减小可能导致用于优化性能的电容的不足。

发明内容

根据本公开的一方面，一种半导体存储器装置包括基板。该半导体存储器装置还包括设置在基板的第一区域上的源极结构、连接至源极结构的存储器单元串以及设置在基板的第二区域上的电容器结构。电容器结构在水平方向上与源极结构间隔开。

根据本公开的另一方面，一种半导体存储器装置包括基板以及层叠在基板上的层间绝缘层，其中，层间绝缘层彼此间隔开。半导体存储器装置还包括在基板的第二区域上方设置在层间绝缘层之间的牺牲绝缘层。半导体存储器装置还包括设置在基板与虚设层叠结构之间的电容器结构，其中，虚设层叠结构包括层间绝缘层和牺牲绝缘层。

根据本公开的又一方面，一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：通过在基板上依次层叠第一掺杂半导体层、牺牲层和第二掺杂半导体层来形成第一层叠结构。该方法还包括形成将第一层叠结构分离为所述基板的第一区域上的初始源极结构和基板的第二区域上的电容器结构的分离层。该方法还包括在第一区域中形成使初始源极结构的牺牲层暴露的沟槽；以及通过沟槽将初始源极结构的牺牲层替换为接触源极层。

附图说明

在下文中参照附图描述了示例实施方式。然而，示例实施方式可以以不同形式体现，而不应被解释为限制本教导。呈现了有限数量的可能实施方式，使得本领域技术人员能够实现本公开。

在附图中，为了图示清楚，可能夸大了尺寸。在整个附图中，相似附图标记指代相似元件。

图1是示意性地例示了根据本公开的一个实施方式的半导体存储器装置的框图。

图2是例示了根据本公开的一个实施方式的半导体存储器装置的一部分的平面图。

图3例示了沿着图2所示的线I-I’截取的半导体存储器装置的截面。

图4A至图4C是例示了图3所示的第一电容器结构和第二电容器结构的示意图。

图5A至图5F是示意性地例示了根据本公开的各种实施方式的电容器结构和电容器节点接触件的截面图。

图6是例示了图2所示的单元插塞的截面的放大图。

图7A至图7H是例示了根据本公开的一个实施方式的半导体存储器装置的制造方法的截面图。

图8是例示了根据本公开的一个实施方式的存储器系统的配置的框图。

图9是例示了根据本公开的一个实施方式的计算系统的配置的框图。

具体实施方式

出于描述根据本公开的构思的实施方式的目的，本文中公开的特定结构或功能描述仅是示例性的。根据本公开的构思的实施方式能够以各种形式来实现，因此，本教导不应被解释为限于在此阐述的实施方式。