[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

基板；

源极结构，该源极结构被设置在所述基板的第一区域上；

存储器单元串，该存储器单元串连接至所述源极结构；以及

电容器结构，该电容器结构被设置在所述基板的第二区域上，其中，所述电容器结构在水平方向上与所述源极结构间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述源极结构的侧壁和所述电容器结构的侧壁彼此面对。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

下绝缘层，该下绝缘层被设置在所述基板上；以及

晶体管，该晶体管被设置在所述下绝缘层中，其中，所述晶体管构成所述半导体存储器装置的外围电路，

其中，所述源极结构和所述电容器结构被设置在所述下绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电容器结构包括第一导电图案和第二导电图案，在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间具有牺牲层。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述牺牲层包含蚀刻速率与所述第一导电图案和所述第二导电图案的蚀刻速率不同的材料。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述源极结构包括：

第一源极层，该第一源极层在水平方向上与所述第一导电图案间隔开；

第二源极层，该第二源极层在水平方向上与所述第二导电图案间隔开；以及

接触源极层，该接触源极层被设置在所述第一源极层和所述第二源极层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述第一源极层和所述第一导电图案包含相同的材料，并且

所述第二源极层和所述第二导电图案包含相同的材料。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第一电容器节点接触件，该第一电容器节点接触件从所述第一导电图案朝向所述基板延伸；以及

第二电容器节点接触件，该第二电容器节点接触件从所述第二导电图案延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述电容器结构还包括：

第一绝缘层，该第一绝缘层被设置在所述第一导电图案和所述牺牲层之间；以及

第二绝缘层，该第二绝缘层被设置在所述第二导电图案和所述牺牲层之间，

其中，所述牺牲层包含硅。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二电容器节点接触件贯穿所述第二导电图案和所述第二绝缘层并延伸至所述牺牲层的内部。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第一电容器节点接触件贯穿所述第一导电图案和所述第一绝缘层并延伸到所述牺牲层的内部。

12.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第一电容器节点接触件，该第一电容器节点接触件从所述基板朝向所述第二导电图案延伸，其中，所述第一电容器节点接触件贯穿所述第一导电图案并连接至所述第二导电图案；

第二电容器节点接触件，该第二电容器节点接触件从所述第二导电图案延伸；以及

电容器绝缘层，该电容器绝缘层被设置在所述第一电容器节点接触件和所述第二电容器节点接触件之间，其中，所述电容器绝缘层贯穿所述第二导电图案并将所述第二导电图案分离为第一电容器电极和第二电容器电极。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述电容器绝缘层朝向所述第一导电图案延伸以贯穿所述牺牲层。