[发明专利]封装体及其形成方法

说明书

一种半导体封装体及其形成方法。在实施例中，一种封装体包括：衬底；第一管芯，设置在衬底内；重布线结构，位于衬底及第一管芯之上；以及经包封器件，位于重布线结构之上，重布线结构将第一管芯耦合到所述经包封器件。

技术领域

本发明实施例涉及一种封装体及其形成方法。

背景技术

半导体行业通过不断缩小最小特征大小来不断地提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，以使得更多的组件(因而更多功能)能够被集成到给定区域中。具有高功能的集成电路需要许多输入/输出接垫。然而，对于小型化很重要的应用而言可能需要小的封装体。

集成扇出型(integrated fan-out，InFO)封装技术正变得越来越受欢迎，尤其是当与晶片级封装(wafer-level packaging，WLP)技术相结合时。InFO封装体可包括封装在封装体中的集成电路，所述封装体通常包括重布线层(redistribution layer，RDL)或后钝化后内连线，所述重布线层或后钝化内连线用于对封装体的接触垫进行扇出型配线，以使得可以比集成电路的接触垫更大的节距来进行电接触。所得封装结构以相对低的成本及高性能封装来提供高功能密度。

发明内容

根据本发明的实施例，一种封装体包括衬底、第一管芯、重布线结构以及经包封器件。第一管芯设置在所述衬底内。重布线结构位于所述衬底及所述第一管芯之上。经包封器件位于所述重布线结构之上，所述重布线结构将所述第一管芯耦合到所述经包封器件。

根据本发明的实施例，一种形成封装体的方法包括：在衬底中形成空腔；将第一管芯贴合到所述衬底，所述第一管芯设置在所述空腔内；在所述衬底的第一侧以及所述第一管芯之上形成重布线结构；以及将半导体器件贴合到所述重布线结构，所述半导体器件包括被包封体包封的第二管芯。

根据本发明的实施例，一种形成封装体的方法包括：在衬底中形成空腔；将所述衬底安装在载体上；将第一器件贴合到所述衬底及所述空腔内；以及将第二器件耦合到所述第一器件，所述第二器件被包封体包封，所述第二器件在垂直于所述衬底的主表面的方向上设置在所述第一器件之上。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的核心衬底。

图2示出根据一些实施例在核心衬底中形成开口。

图3示出根据一些实施例在核心衬底中形成导电迹线及导电插塞。

图4示出根据一些实施例在核心衬底之上形成介电层及保护层。

图5示出根据一些实施例在核心衬底中形成空腔。

图6示出根据一些实施例将衬底接合到载体。

图7A示出根据一些实施例将第一管芯贴合在空腔内。

图7B示出根据一些实施例的多层陶瓷电容器。

图8示出根据一些实施例形成环绕无源器件的底部填充胶。

图9到图15示出根据一些实施例在衬底及无源器件之上形成前侧重布线结构。

图16示出根据一些实施例在前侧重布线结构中形成开口。

图17A示出根据一些实施例在前侧重布线结构上形成导电连接件。

图17B及图17C示出根据一些实施例在载体之上形成的第一封装体。

图18示出根据一些实施例将载体剥离。