[发明专利]半导体制程系统以及方法

权利要求书

1.一种半导体制程系统，包括：

一气体分配器组件，配置以在一腔室内分配气体；

一吸座组件，配置以在该腔室内固定一晶圆，其中该气体分配器组件以及该吸座组件的至少一者包括：

一第一部分，包括一凸起突出部以及一第一定位销凹面；以及

一第二部分，包括一凹陷开口以及一第二定位销凹面，其中该凸起突出部是配置以接合该凹陷开口；

一定位销，配置成设置在该第一定位销凹面以及该第二定位销凹面中；

一第一电源，耦接该第一部分，配置以在该晶圆以及该第一部分之间引起静电场；以及

一第二电源，耦接该第二部分，配置以控制在该腔室中产生等离子体时的反应速度。

2.如权利要求1所述的半导体制程系统，其中该凸起突出部为榫舌，且该凹陷开口为榫孔。

3.如权利要求1所述的半导体制程系统，其中该凸起突出部从该第一部分的一中心凸出。

4.如权利要求1所述的半导体制程系统，其中该气体分配器组件包括该第一部分以及该第二部分。

5.如权利要求1所述的半导体制程系统，其中该气体分配器组件以及该吸座组件包括一组对应的该第一部分以及该第二部分。

6.如权利要求1所述的半导体制程系统，其中该吸座组件包括该第一部分以及该第二部分。

7.如权利要求1所述的半导体制程系统，其中该第一部分设置在该第二部分上。

8.一种半导体制程系统，包括：

一气体分配器组件，配置以在一腔室中分配气体，其中该气体分配器组件包括：

一第一气体分配器部分，包括一凸起突出部以及一第一定位销凹面；以及

一第二气体分配器部分，包括一凹陷开口以及一第二定位销凹面，其中该凸起突出部是配置以接合该凹陷开口；

一吸座组件，配置以在该腔室中固定一晶圆，其中该吸座组件位于该气体分配器组件下方，该吸座组件包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分配置以在其上固持一晶圆，且该第二部分设置在该第一部分之下；

一定位销，配置成设置在该第一定位销凹面以及该第二定位销凹面中；

一第一电源，耦接该第一部分，配置以在该晶圆以及该第一部分之间引起静电场；以及

一第二电源，耦接该第二部分，配置以控制在该腔室中产生等离子体时的反应速度。

9.如权利要求8所述的半导体制程系统，其中该第二气体分配器部分形成环绕该第一气体分配器部分的一环。

10.如权利要求8所述的半导体制程系统，其中该第一气体分配器部分包括多个凸起突出部，且该第二气体分配器部分包括多个凹陷开口，其中所述多个凸起突出部的每一者是配置以接合对应的所述多个凹陷开口的其中一者。

11.如权利要求8所述的半导体制程系统，其中该第二气体分配器部分是形成为焊接在一起的多个部件。

12.如权利要求8所述的半导体制程系统，其中在该凹陷开口中的该凸起突出部与该凹陷开口的一表面齐平。

13.如权利要求8所述的半导体制程系统，其中该第一气体分配器部分以及该第二气体分配器部分是通过注塑成型而形成。

14.如权利要求8所述的半导体制程系统，其中该凸起突出部从该第一气体分配器部分径向地凸出。