[发明专利]芯片封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 201910656802.0 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110729270A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 周辉星 | 申请（专利权）人： | PEP创新私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 11612 北京金咨知识产权代理有限公司 | 代理人： | 秦景芳 |
| 地址： | 新加坡海军*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 裸片 封装 保护层 材料特性 芯片封装 减小 薄型芯片 大型面板 封装工艺 封装过程 封装结构 裸片背面 使用周期 芯片结构 导电层 电通量 活性面 介电层 精准度 塑封层 包封 翘曲 贴装 载板 剥离 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
至少一个裸片；
保护层，在裸片活性面一侧，且所述保护层内形成有导电填充通孔，至少一部分所述导电填充通孔和电连接点电连接；
塑封层，所述塑封层用于包封所述裸片；
导电层，至少部分形成于所述保护层表面，至少一部分所述导电层和所述导电填充通孔电连接；
介电层，形成于所述导电层上；
所述保护层的杨氏模量为以下任一数值范围或数值：1000～20000MPa、1000～10000MPa、4000～8000MPa、5500MPa。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的材料为有机/无机复合材料。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的厚度为以下任一数值范围或数值：15～50μm、20～50μm、35μm、45μm、50μm。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3～10ppm/K、5ppm/K、7ppm/K、10ppm/K。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3～10ppm/K、5ppm/K、7ppm/K、10ppm/K。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层和所述塑封层具有相同或相近的热膨胀系数。
7.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层中包括无机填料颗粒，所述无机填料颗粒的直径为小于3μm或无机填料颗粒的直径为1～2μm。
8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电填充通孔为导电介质填充保护层开口形成，所述导电填充通孔具有导电填充通孔下表面和导电填充通孔上表面，所述导电填充通孔下表面与所述导电填充通孔上表面的面积之比为60％～90％。
9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电填充通孔下表面和绝缘层之间具有空隙，和/或所述导电填充通孔下表面处于电连接点接近中央位置处。
10.根据权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电层包括导电迹线和/或导电凸柱；
其中：最靠近所述裸片活性面的导电迹线至少一部分形成于所述保护层的表面，和所述导电填充通孔电连接；
所述导电层为一层或多层。
11.根据权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电连接点上形成有导电覆盖层。
12.根据权利要求10所述的芯片封装结构，其特征在于，最靠近裸片活性面的所述导电迹线的至少一部分形成在塑封层正面并延伸至封装体的边缘。
13.根据权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，裸片背面从所述塑封层暴露。
14.根据权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述介电层的表面对应于所述导电层的位置处具有凹槽。
15.根据权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一个裸片为多个裸片，所述多个裸片之间根据产品设计进行电连接。
16.根据权利要求1至9任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个裸片为具有不同功能的裸片，以形成多芯片组件。
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