[发明专利]密封用片和电子元件装置的制造方法

说明书

本发明涉及密封用片和电子元件装置的制造方法。密封用片以形成将电子元件进行密封的密封层的方式加以使用，所述电子元件以与基板的厚度方向一个面相对的方式进行安装。密封层在将电子元件进行密封时，与基板中的不与电子元件相对的厚度方向一个面接触。密封用片的厚度T为0.25[mm]以上且小于0.50[mm]。密封用片的厚度T[mm]与密封层的线膨胀系数α[1/℃]的乘积为8×10^－6[mm/℃]以下。

技术领域

本发明涉及密封用片和电子元件装置的制造方法，详细而言，涉及电子元件装置的制造方法和用于其的密封用片。

背景技术

以往，已知将安装于基板的一个面的电子器件用电子器件密封用片进行密封而制造电子器件封装体的方法(例如参照日本特开2015－179829号公报)。

该方法中，电子器件密封用片以接触电子器件的一个面和侧面、以及基板的电子器件的周围的一个面的方式埋设电子器件，从而将电子器件密封。

发明内容

然而，对于电子器件封装体而言，要求电子器件不会自基板剥离那样的电子器件与基板的强接合强度。

另外，要求密封树脂片形成得较薄，实现所制造的电子器件封装体的薄型化。

本发明提供能够抑制电子元件自基板剥离的密封用片和实现了薄型化的电子元件装置的制造方法。

本发明(1)包括一种密封用片，其以形成将电子元件进行密封的密封层的方式加以使用，所述电子元件以与基板的厚度方向一个面相对的方式进行安装，上述密封层在将上述电子元件进行密封时，与上述基板中的不与上述电子元件相对的上述厚度方向一个面接触，上述密封用片的厚度T为0.25[mm]以上且小于0.50[mm]，上述密封用片的上述厚度T[mm]与上述密封层的线膨胀系数α[1/℃]的乘积为8×10^－6[mm/℃]以下。

如果密封用片的厚度T小于0.25[mm]，则密封层的厚度变得过薄，因此，密封层相对于电子元件的密合力降低，无法抑制电子元件相对于基板的剥离。

但是，由于该密封用片的厚度T为0.25[mm]以上，因此，能够充分确保密封层相对于电子元件的密合力，能够抑制电子元件相对于基板的剥离。

另一个面，如果密封用片的厚度T超过0.50[mm]，则密封层的厚度变得过厚，因此，无法实现具备密封层的电子元件装置的薄型化。

但是，由于该密封用片的厚度T为0.50[mm]以下，因此，能够实现具备密封层的电子元件装置的薄型化。

另外，有时密封用片的厚度T处于上述范围内但较厚，密封层的线膨胀系数α高，因此密封用片的厚度T[mm]与密封层的线膨胀系数α[1/℃]的乘积超过8×10^－6[mm/℃]。此时，因密封层的线膨胀系数α高而导致基板的线膨胀系数相对于密封层的线膨胀系数变小。因此，基板的线膨胀系数与密封层的线膨胀系数α之差变大，电子元件装置在严苛的温度条件下使用时，在与基板的厚度方向一个面接触的密封层中产生内部应力，其结果，电子元件自基板剥离。

一方面，有时密封层的线膨胀系数α高，但密封用片的厚度T处于上述范围内且较薄，因此密封用片的厚度T[mm]与密封层的线膨胀系数α[1/℃]的乘积达到8×10^－6[mm/℃]以下。此时，虽然密封层的线膨胀系数α高，但由于密封层较薄，因此，即使电子元件装置在严苛的温度条件下使用，也难以产生内部应力，因此，能够抑制电子元件自基板剥离。