[发明专利]半导体键合封装方法有效

专利信息
申请号: 201910477615.6 申请日: 2019-06-03
公开(公告)号: CN110299295B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 陈波;陈文渊 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法
【说明书】:

本申请公开一种半导体键合封装方法,包括:提供基板,所述基板具有相背的第一面和第二面,所述第一面上设有多个金属凸块,所述第二面上设有多个焊料凸块;在所述第一面上形成图案化的第一光刻胶层,所述第一光刻胶层具有裸露出所述金属凸块顶端的第一开口部;提供芯片,在所述第一光刻胶层上倒装芯片,通过热压键合法将所述芯片的功能凸点与所述基板的金属凸块键合连接。具有第一开口部的第一光刻胶层可有效避免芯片的功能凸点与功能凸点之间出现焊料桥接的问题,避免芯片底部的填充出现空洞问题,不会出现多胶使芯片背部被粘污的问题;有效提高良品率和封装效率。

技术领域

本申请一般涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体键合封装方法。

背景技术

随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化、便携式、超薄化、多媒体化以及满足大众需求的低成本方向发展,高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。半导体封装中随着输入/输出(input/output,I/O)引脚数量的增加,在缩小芯片尺寸或者不改变芯片尺寸的情况下芯片的功能凸点的间距(bump pitch)越来越小,普通的毛细管底部填充(CUF)工艺无法填充到芯片内部以保护电极焊盘,因此采用热压键合工艺(TCB),先在基板上预涂覆非导电胶,然后在基板上倒装半导体芯片并热压键合焊接,然后去掉热压头105,参见图1中箭头示意方向进行热压键合。

先在基板100上预涂覆胶水101,胶水在填充过程中容易粘附在芯片102的功能凸点103与基板100的焊盘104之间,从而影响芯片与基板之间的焊接效果;预涂覆胶水是为了解决CUF工艺中填充难度、虚焊等问题,但是由于胶水需要在芯片底部流动填充,因此不可避免的还会存在芯片底部虚焊的情况;另外由于涂胶厚度不容易控制,在热压的过程中胶水容易溢到芯片的背面,导致热压键合头会被粘污;再者由于芯片的功能凸点与基板的焊盘之间的焊接是通过温度与压力控制的,若键合高度和压力控制不均会导致焊料被挤压或被挤出,从而出现焊料桥接的情况,影响半导体产品的性能。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种半导体键合封装方法。

本发明提供一种半导体键合封装方法,其特殊之处在于,包括:

提供基板,所述基板具有相背的第一面和第二面,所述第一面上设有多个金属凸块,所述第二面上设有多个焊料凸块;

在所述第一面上形成图案化的第一光刻胶层,所述第一光刻胶层具有裸露出所述金属凸块顶端的第一开口部;

提供芯片,在所述第一光刻胶层上倒装芯片,通过热压键合法将所述芯片的功能凸点与所述基板的金属凸块键合连接;

所述提供芯片包括:

所述芯片具有正对的正面和背面,芯片正面设有多个焊盘,在焊盘所对应位置设置金属层;在焊盘所对应位置设置金属层包括:在芯片正面的整面设置金属层,在金属层整面涂覆第二光刻胶涂层,然后光照、显影露出相邻两个焊盘之间所对应位置的下的金属层,刻蚀掉相邻两个焊盘之间所对应位置的金属层后,去掉焊盘所对应位置金属层上的第二光刻胶涂层;

在芯片正面形成图案化的第三光刻胶层,所述第三光刻胶层具有裸露出焊盘所对应位置金属层的第三开口部;

在焊盘所对应位置的金属层上电镀功能凸点,通过热压键合法将所述芯片的功能凸点与所述基板的金属凸块键合连接。

进一步地,在所述第一面上形成图案化的第一光刻胶层包括:

在所述基板的第一面上涂覆第一光刻胶涂层;

对所述第一光刻胶涂层进行曝光显影形成图案化的所述第一光刻胶层。

进一步地,在芯片正面形成图案化的第三光刻胶层包括:

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