[发明专利]半导体键合封装方法有效

专利信息
申请号: 201910477615.6 申请日: 2019-06-03
公开(公告)号: CN110299295B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 陈波;陈文渊 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体键合封装方法,其特征在于,包括:

提供基板,所述基板具有相背的第一面和第二面,所述第一面上设有多个金属凸块,所述第二面上设有多个焊料凸块;

在所述第一面上形成图案化的第一光刻胶层,所述第一光刻胶层具有裸露出所述金属凸块顶端的第一开口部;

提供芯片,在所述第一光刻胶层上倒装芯片,通过热压键合法将所述芯片的功能凸点与所述基板的金属凸块键合连接;

所述提供芯片包括:

所述芯片具有正对的正面和背面,芯片正面设有多个焊盘,在焊盘所对应位置设置金属层;在焊盘所对应位置设置金属层包括:在芯片正面的整面设置金属层,在金属层整面涂覆第二光刻胶涂层,然后光照、显影露出相邻两个焊盘之间所对应位置的下的金属层,刻蚀掉相邻两个焊盘之间所对应位置的金属层后,去掉焊盘所对应位置金属层上的第二光刻胶涂层;

在芯片正面形成图案化的第三光刻胶层,所述第三光刻胶层具有裸露出焊盘所对应位置金属层的第三开口部;

在焊盘所对应位置的金属层上电镀功能凸点,通过热压键合法将所述芯片的功能凸点与所述基板的金属凸块键合连接。

2.根据权利要求1所述的半导体键合封装方法,其特征在于,在所述第一面上形成图案化的第一光刻胶层包括:

在所述基板的第一面上涂覆第一光刻胶涂层;

对所述第一光刻胶涂层进行曝光显影形成图案化的所述第一光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的半导体键合封装方法,其特征在于,在芯片正面形成图案化的第三光刻胶层包括:

在芯片正面涂覆第三光刻胶涂层,光照、显影露出焊盘所对应位置的金属层,保留相邻两个焊盘之间的第三光刻胶涂层。

4.根据权利要求3所述的半导体键合封装方法,其特征在于,

所述功能凸点上设有焊料,所述第三光刻胶层的厚度高于所述功能凸点高度低于所述功能凸点和所述焊料的总厚度。

5.根据权利要求4所述的半导体键合封装方法,其特征在于,所述焊料至少有2/3露出所述第三光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的半导体键合封装方法,其特征在于,所述金属凸块、所述功能凸点和所述焊料的厚度之和不大于所述第一光刻胶层和所述第三光刻胶层的厚度之和。

7.根据权利要求1所述的半导体键合封装方法,其特征在于,所述基板经其第一面上的金属凸块键合有一个或多个相同或不同的芯片。

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