[发明专利]半导体封装、包括其的存储设备及操作半导体封装的方法在审
| 申请号: | 201910466682.8 | 申请日: | 2019-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN110957282A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
| 发明(设计)人: | 罗荣浩;闵泳善;边大锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;G11C29/02;H01L21/56 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 包括 存储 设备 操作 方法 | ||
1.一种半导体封装,包括:
第一存储器芯片,布置在封装衬底上;
第二存储器芯片,布置在所述第一存储器芯片上;以及
第三存储器芯片,布置在所述第一存储器芯片与所述第二存储器芯片之间,
其中,所述第一存储器芯片至所述第三存储器芯片中的每一个包括:
存储器单元阵列,被配置为存储数据;
多个应力检测器,形成并分布在衬底中,并且被配置为响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流;
应力指数发生器,被配置为将所述多个感测电流转换为应力指数代码;以及
控制电路,被配置为基于所述应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,
其中,所述存储器单元阵列还被配置为存储参考应力指数代码,并且所述参考应力指数代码基于参考感测电流来转换,
其中,所述多个应力检测器在所述对应存储器芯片被封装之前在晶片级别检测所述参考感测电流,以及
其中,所述控制电路被配置为将所述应力指数代码的所述至少一部分与所述参考应力指数代码的对应部分进行比较,以调整所述特征参数的值,使得所述特征参数的值遵循在所述晶片级别设置的所述特征参数的目标级别。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述多个应力检测器对应于n+有源电阻器,所述n+有源电阻器通过使用所述第一存储器芯片至所述第三存储器芯片的衬底的n+掺杂区而形成。
4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述第一存储器芯片至所述第三存储器芯片中的每一个还包括:
电源开关,形成在所述衬底上,其中,所述电源开关连接到接收所述外部电压的电源焊盘;
第一导电线,耦接到所述电源开关;
多个开关,耦接在所述多个应力检测器的第一端子与所述应力指数发生器之间;以及
第二导电线,耦接在所述多个应力检测器的第一端子与所述应力指数发生器之间,以及
其中,所述控制电路被配置为将电源开关控制信号施加到所述电源开关并将开关控制信号施加到所述多个开关。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述应力指数发生器包括:
多路复用器,被配置为接收所述多个感测电流以响应于选择信号选择所述多个感测电流中的第一感测电流;以及
模数转换器(ADC),被配置为将所述第一感测电流转换为对应的第一应力指数代码,以及
其中,所述ADC用弛豫振荡器实现。
6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中,所述弛豫振荡器包括:
分数电流发生器,被配置为在第一节点和第二节点处输出第二电流,其中,所述第二电流具有所述第一感测电流的1/n量值,并且n是大于一的自然数;以及
代码产生电路,被配置为基于参考电压、所述第二电流和所述第一应力指数代码来产生所述第一应力指数代码,其中,通过将所述第一感测电流乘以第一应力检测器的第一电阻器的电阻来获得所述参考电压,所述第一应力检测器产生所述第一感测电流,并且所述代码产生电路被配置为产生基于所述第一电阻器的电阻而变化的所述第一应力指数代码,以及
其中,所述第一应力指数代码对应于时钟信号。
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