[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910221467.1 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN110391196B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 近藤将夫;大部功;梅本康成;山本靖久;柴田雅博;筒井孝幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;王秀辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
一种半导体装置,在印刷电路基板安装半导体芯片。半导体芯片在基板的与印刷电路基板对置的第一面形成有源元件。在与有源元件不同的位置设置由热传导率比基板高的材料构成的热传导膜。在第一面上配置覆盖有源元件以及热传导膜的绝缘膜。在绝缘膜上设置与热传导膜电连接的凸块。设置从与第一面相反侧的第二面到达热传导膜的贯通导通孔。从在俯视时与有源元件重叠的第二面的区域到贯通导通孔的内面连续地配置由热传导率比基板高的材料构成的热传导部件。半导体芯片的凸块与印刷电路基板的连接盘连接,半导体芯片被密封树脂密封。
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
有在设置于半导体芯片的功率放大器的动作时晶体管自发热,而半导体芯片的性能随着晶体管的动作温度的上升而劣化的情况。为了抑制半导体芯片的劣化,期望从作为发热源的晶体管向半导体芯片的外部高效地散热。
在专利文献1有对从安装于模块基板的半导体芯片开始的导热路径的记载。在专利文献1所记载的发明中,形成从半导体芯片的凸块经由形成在模块基板的上面的端子以及从模块基板的上面到达下面的散热贯通孔到达形成在模块基板的下表面的接地用的电极的导热路径。
在接地用的电极连接有晶体管的发射极或者源极。因此,发射极或者源极包含于导热路径的一部分。与凸块连接并成为导热路径的发射极或者源极通常为小面积,导热路径中与发射极或者源极连接的位置成为窄路。因此,难以充分降低导热路径的热阻。
在专利文献2公开了使散热特性提高的半导体装置。在专利文献2所公开的半导体装置中,设置从外部连接焊盘到达形成了有源元件的半导体基板的上面的散热结构。在形成在半导体基板的上面的晶体管产生的热量沿着半导体基板的上面向横向传递到配置了散热结构的位置,其后,经由散热结构进行散热。
专利文献1:日本特开2011-198866号公报
专利文献2:日本特开2014-99470号公报
在晶体管等发热源产生的热量除了沿着半导体基板的上面向横向传递之外,还在半导体基板向厚度方向传递。在以往的半导体装置中,难以将在半导体基板的表面的发热源产生并扩散到半导体基板的内部的热量高效地散热到外部。
发明内容
本发明的目的在于提供能够将在基板的内部扩散的热量高效地散热到外部的半导体装置。
根据本发明的一观点提供一种半导体装置,具有:
印刷电路基板,其在安装面设置有连接盘;以及
半导体芯片,其安装于上述印刷电路基板,
上述半导体芯片具有:
有源元件,其形成在基板的与上述印刷电路基板对置的第一面;
热传导膜,其设置在上述基板的上述第一面的与上述有源元件不同的位置且由热传导率比上述基板高的材料构成;
绝缘膜,其配置在上述基板的上述第一面上并覆盖上述有源元件以及上述热传导膜;
凸块,其配置在上述绝缘膜上并与上述热传导膜电连接;
贯通导通孔,其从上述基板的与上述第一面相反侧的第二面到达上述热传导膜;以及
热传导部件,其从在俯视时与上述有源元件重叠的上述第二面的区域连续地配置至上述贯通导通孔的内面,且由热传导率比上述基板高的材料构成,
上述凸块与上述连接盘连接,上述半导体芯片被密封树脂密封。
根据本发明的其它的观点,提供一种半导体装置,具有:
有源元件,其形成在基板的第一面;
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