[发明专利]密封用片

说明书

本发明提供加热时的柔软性、以及半导体芯片的密封性及韧性优异的密封用片。密封用片含有热固性成分和无机填料。无机填料在密封用片中的比例为50％以上且95％以下。密封用片的作为固化物的固化体片在80℃时的肖氏D硬度相对于固化体片在25℃时的肖氏D硬度之比为0.5以上且小于1.0。

技术领域

本发明涉及密封用片。

背景技术

以往，已知有利用密封树脂片埋入多个半导体芯片来进行密封的情况。

例如，提出了包含环氧树脂、酚醛树脂、弹性体、无机填充剂及固化促进剂的密封树脂片(例如参照日本特开2014-15490号公报。)。

发明内容

然而，密封树脂片将多个半导体芯片埋设并通过加热进行固化而形成固化体片。然后，将固化体片设置于具有吸引孔的吸附台，通过与吸引孔连接的吸引装置的驱动而将固化体片固定(紧贴)于吸附台。接着，对固化体片进行切割，将多个半导体芯片单片化。此时，对于固化体片而言，要求加热时的柔软性，即便一边被吸引孔吸引一边通过与切割机的接触而被加热也不发生断裂。

另一方面，若固化体片过度柔软，则存在产生相对于半导体芯片的密封性的下降、进而产生具备半导体芯片及固化体片的半导体装置的可靠性的下降这样的不良情况。

此外，对固化体片也要求优异的韧性。

本发明提供加热时的柔软性、以及半导体芯片的密封性及韧性优异的密封用片。

本发明(1)包含一种密封用片，是含有热固性成分和无机填料的密封用片，其包含所述无机填料在所述密封用片中的比例为50％以上且95％以下，所述密封用片的作为固化物的固化体片在80℃时的肖氏D硬度相对于所述固化体片在25℃时的肖氏D硬度之比为0.5以上且小于1.0的密封用片。

本发明(2)包含(1)所记载的密封用片，其中，所述无机填料在所述密封用片中的比例小于70％。

本发明(3)包含(1)或(2)所记载的密封用片，其中，所述固化体片在25℃时的所述肖氏D硬度为50以上且80以下。

本发明(4)包含(1)～(3)中任一项所记载的密封用片，其中，所述固化体片的玻璃转移温度Tg为100℃以下。

本发明(5)包含(1)～(4)中任一项所记载的密封用片，其中，所述固化体片在25℃时的拉伸储能弹性模量E’相对于所述固化体片在260℃时的拉伸储能弹性模量E’之比为10以上且500以下。

在本发明的密封用片中，无机填料在密封用片中的比例为50％以上且95％以下而较高，因此，韧性优异。

另外，密封用片的作为固化物的固化体片在80℃时的肖氏D硬度相对于固化体片在25℃时的肖氏D硬度之比小于1.0，因此，固化体片在加热时的柔软性优异。

另一方面，由于上述之比为0.5以上，因此，固化体片的密封性优异。

附图说明

图1示出本发明的密封用片的一实施方式的半导体元件密封用片的剖视图。

图2A～图2B示出使用图1所示的半导体元件密封用片对半导体元件进行密封来制造半导体元件封装件集合体的方法的工序图，图2A示出将半导体元件密封用片相对于多个半导体元件对置配置的工序，图2B示出利用半导体元件密封用片对多个半导体元件进行密封而得到半导体元件封装件集合体的工序。

图3示出将图2B所示的半导体元件封装件集合体单片化而得到半导体元件封装件的工序。

图4示出图3所示的工序的变形例。

具体实施方式

参照图1～图3，来说明本发明的密封用片的一实施方式的半导体元件密封用片。