[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，具有第1主面及与所述第1主面对向的第2主面；存储单元阵列，设置在所述第1主面上，且积层着存储单元；第1电路，设置在所述第2主面上，使所述存储单元动作；以及导通孔，以贯通所述半导体衬底内的方式设置，将所述存储单元与所述第1电路电连接。

相关申请案

本申请案享有以日本专利申请案2018-175779号(申请日：2018年9月20日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

实施方式主要涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有一种存储单元三维地排列而成的半导体存储装置。

发明内容

实施方式提供一种半导体存储装置，能够提高用来使存储单元动作的周边电路的可靠性，并且能够缩小衬底面积。

实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底，具有第1主面及与所述第1主面对向的第2主面；存储单元阵列，设置在所述第1主面上，且积层着存储单元；第1电路，设置在所述第2主面上，使所述存储单元动作；以及导通孔，以贯通所述半导体衬底内的方式设置，将所述存储单元与所述第1电路电连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的构成的框图。

图2是第1实施方式中的存储单元阵列所具有的区块的电路图。

图3是第1实施方式的半导体存储装置的剖视图。

图4是第1实施方式中的存储单元阵列内的存储单元晶体管的剖视图。

图5是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图6是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图7是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图8是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图9是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图10是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图11是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图12是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图13是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图14是表示第1实施方式的半导体存储装置的制造方法的各步骤的剖视图。

图15是第1实施方式的变化例的半导体存储装置的剖视图。

图16是变化例的半导体存储装置中的电路区块的布局图。

图17是表示第2实施方式的半导体存储装置的第1构成例的剖视图。

图18是表示第2实施方式的半导体存储装置的第2构成例的剖视图。

具体实施方式

在以下的实施方式的说明中，关于具有相同功能及构成的构成要素标注共通的参照符号。另外，以下所示的各实施方式是例示用来使该实施方式的技术思想具体化的装置或方法的实施方式，构成零件的材质、形状、构造、配置等并不特定为下述的内容。