[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具有：

半导体衬底，具有第1主面以、及与所述第1主面对向的第2主面；

存储单元阵列，设置在所述第1主面上，积层着存储单元；

第1电路，设置在所述第2主面上，使所述存储单元动作；以及

导通孔，以贯通所述半导体衬底内的方式设置，将所述存储单元与所述第1电路电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述存储单元阵列具有三维地配置在所述第1主面上的存储单元。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述存储单元阵列具有：积层体，在所述第1主面上交替地积层着多个绝缘层与多个导电层；以及柱状体，相对于所述第1主面在上下方向贯通所述积层体；并且

所述柱状体具有从所述导电层侧依次配置的绝缘膜、电荷储存膜、隧道绝缘膜以及半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述导通孔具有从所述第2主面贯通所述半导体衬底的内部直到所述第1主面为止的导电体。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1电路包含设置在所述第2主面上的n通道MOS晶体管以及p通道MOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1电路包含感测放大器，所述感测放大器的一部分配置在相对于所述存储单元阵列在第1方向对向的位置。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于所述存储单元阵列具有第1区域、以及相对于与所述第1方向正交的第2方向与所述第1区域并排配置的第2区域，且具有配置在所述第1区域与所述第2区域之间且配置着贯通所述半导体衬底而将所述存储单元阵列与所述第1电路电连接的接点的接触区域。

8.一种半导体存储装置，其特征在于具有第1以及第2存储器芯片，所述第1以及第2存储器芯片分别具有：半导体衬底，具有第1主面、以及与所述第1主面对向的第2主面；存储单元阵列，设置在所述第1主面上，积层着存储单元；第1电路，设置在所述第2主面上，使所述存储单元动作；以及导通孔，以贯通所述半导体衬底内的方式设置，且将所述存储单元与所述第1电路电连接；

所述第1存储器芯片具有第1焊盘，所述第2存储器芯片具有第2焊盘；

所述第1存储器芯片与所述第2存储器芯片以所述第1焊盘与所述第2焊盘对向的方式对合而配置。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1焊盘设置在所述第1存储器芯片的所述第1电路的上方，所述第2焊盘设置在所述第2存储器芯片的所述存储单元阵列的上方。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1焊盘设置在所述第1存储器芯片的所述第1电路的上方，所述第2焊盘设置在所述第2存储器芯片的所述第1电路的上方。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于所述第1焊盘设置在所述第1存储器芯片的所述存储单元阵列的上方，所述第2焊盘设置在所述第2存储器芯片的所述存储单元阵列的上方。

12.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于所述存储单元阵列具有：积层体，在所述第1主面上交替地积层着多个绝缘层与多个导电层；以及柱状体，相对于所述第1主面在上下方向贯通所述积层体；并且

所述柱状体具有从所述导电层侧起依次配置的绝缘膜、电荷储存膜、隧道绝缘膜以及半导体层。

13.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于所述导通孔具有从所述第2主面贯通所述半导体衬底的内部直到所述第1主面为止的导电体。