[发明专利]扇出型半导体封装件

说明书

本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中。

本申请要求于2018年5月4日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0051915号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种电连接结构可延伸到设置有半导体芯片的区域的外部的扇出型半导体封装件。

背景技术

涉及半导体芯片的技术发展的重要的近期趋势已经是减小半导体芯片的尺寸。因此，在封装技术领域，随着对小尺寸的半导体芯片等的需求快速增加，已经需要实现一种在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。

提出的来满足上述技术需求的半导体封装技术的一种类型是扇出型半导体封装件。这样的扇出型封装件具有紧凑的尺寸，并且可允许通过使连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部来实现多个引脚。

在半导体封装件中，当电磁辐射对半导体芯片等有影响时，可能出现问题。因此，半导体封装件中需要有效的电磁辐射阻挡结构。

发明内容

本公开的一方面可提供一种扇出型半导体封装件，在所述扇出型半导体封装件中，电磁辐射阻挡效率可以是高的并且可有效地去除产品中可能产生的气体。

根据本公开的一个方面，一种扇出型半导体封装件可包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且包括基底层和多孔阻挡部，所述基底层中形成有多个排气孔，所述多孔阻挡部填充在所述多个排气孔中。

所述多孔阻挡部可具有多个颗粒集聚的形式。

所述多孔阻挡部可以是多孔镀层。

所述基底层可具有金属薄膜形式。

所述基底层可以是铜镀层。

所述电磁辐射阻挡层可包括第一区域和第二区域，并且在所述第一区域中的所述排气孔的密度可高于在所述第二区域中的所述排气孔的密度。

所述第二区域可设置在与所述半导体芯片相对应的区域中。

所述扇出型半导体封装件还可包括芯构件，所述芯构件包括容纳所述半导体芯片的通孔和覆盖形成所述通孔的壁的金属层。

所述芯构件的所述金属层和所述电磁辐射阻挡层可通过穿过所述包封剂的导电过孔彼此连接。

所述扇出型半导体封装件还可包括设置在所述连接构件上的多个无源组件。

所述第一区域可设置在与所述多个无源组件中的至少一些相对应的区域中。

从所述多个无源组件中的至少一些的上表面到所述包封剂的上表面的距离可彼此不同，并且所述排气孔的密度在与所述多个无源组件之中的从无源组件的上表面到所述包封剂的上表面具有更大距离的所述无源组件相对应的区域中可以更高。

所述多个无源组件可包括电容器和电感器，并且在与所述电容器相对应的区域中的所述排气孔的密度可高于与所述电感器相对应的区域中的所述排气孔的密度。

根据本公开的另一方面，一种扇出型半导体封装件可包括：连接构件，包括绝缘层和重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件上；包封剂，包封所述半导体芯片；以及电磁辐射阻挡层，设置在所述半导体芯片上方并且具有多孔结构。

所述电磁辐射阻挡层可具有多个颗粒集聚的形式。