[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201880097214.1 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113169227A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 程凯;刘凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/338;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成不连续金属原子层；
在所述不连续金属原子层上形成外延层，其中，在所述外延层的生长过程中，将所述不连续金属原子层中的金属原子驱入到所述外延层中，使得所述外延层的至少一部分掺杂有金属原子。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底和所述不连续金属原子层之间形成成核层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述成核层包括GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN或其组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层包括GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN或其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不连续金属原子层中的金属包括Fe、Mn、Sb、Bi、Cd、Zn、Mg、Na或其组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述外延层上形成异质结，以及
在所述异质结上形成栅极结构，源极接触和漏极接触。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的外延层，其中，所述外延层包括设置在所述衬底上的掺杂有金属原子的金属掺杂层，所述金属原子的掺杂浓度从所述金属掺杂层的下表面到上表面逐渐降低，所述金属掺杂层的下表面的金属原子的掺杂浓度高于1×1017atoms/cm3。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
设置在所述衬底和所述金属掺杂层之间的成核层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述成核层包括GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN或其组合。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层包括AlN、AlGaN、AlInN、AlInGaN或其组合。
11.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述金属原子包括Fe、Mn、Sb、Bi、Cd、Zn、Mg、Na或其组合。
12.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
设置在所述金属掺杂层上的异质结，以及
设置在所述异质结上的栅极结构，源极接触和漏极接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶湛半导体有限公司，未经苏州晶湛半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880097214.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：触摸传感器电路
- 下一篇：共享频谱中的高度可用的无线电接入网
- 同类专利
- 专利分类
