[发明专利]密封组合物和半导体装置

说明书

密封组合物含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料，上述无机填充材料的粒度分布具有至少3个峰，上述无机填充材料包含粒径为1μm以下的氧化铝。

技术领域

本发明涉及密封组合物和半导体装置。

背景技术

近年来，随着小型化和高集成化，半导体封装体内部的发热令人担忧。由于担心具有半导体封装体的电气部件或电子部件的性能会由于发热而发生下降，因此对半导体封装体中使用的构件要求高热传导性。因此，需要使半导体封装体的密封材料高热传导化。

作为使密封材料高热传导化的方法之一，可列举使用属于高热传导性填料的氧化铝来作为密封材料所含的无机填充材料的方法(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006－273920号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，专利文献1记载的方法存在密封材料的流动性变差的情况。例如，就采用了将半导体元件和基板通过金属线来连接的被称为引线键合结构的方法的半导体封装体而言，其是通过用树脂组合物密封半导体元件、基板、和对这些进行电连接的金属线而形成的。这种情况下，密封材料的流动会对金属线造成压力，存在产生金属线的位置偏移(线移动)或对半导体元件的保护不充分的情况。

从而，存在难以兼顾密封材料的流动性和高热传导性的情况。

本发明的一方式是鉴于上述现有情况而完成的，其目的在于，提供流动性优异、具有高热传导性的密封组合物以及使用其的半导体装置。

用于解决课题的方案

用于解决上述课题的具体方案如下所述。

＜1＞一种密封组合物，其含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料，上述无机填充材料的粒度分布具有至少3个峰，

上述无机填充材料包含粒径为1μm以下的氧化铝。

＜2＞根据＜1＞所述的密封组合物，其中，上述无机填充材料的粒度分布在0.3μm～0.7μm的范围、7μm～20μm的范围和30μm～70μm的范围内具有峰。

＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的密封组合物，其中，上述无机填充材料所含的粒径为1μm以下的无机粒子中，氧化铝所占的比例为1体积％～40体积％。

＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的密封组合物，其中，上述无机填充材料的平均圆形度为0.80以上。

＜5＞一种半导体装置，其包含半导体元件、和密封上述半导体元件的＜1＞～＜4＞中任一项所述的密封组合物的固化物。

发明效果

根据本发明的一方式，可以提供流动性优异、具有高热传导性的密封组合物以及使用其的半导体装置。

具体实施方式

以下，对用于实施本发明的密封组合物和半导体装置的方式进行详细说明。但是，本发明不受以下的实施方式限定。在以下的实施方式中，其构成要素(也包含要素步骤等)除了特别明示的情况外均并非必需。关于数值和其范围也同样，不对本发明进行限制。

本公开中，使用“～”示出的数值范围中，包括记载于“～”的前后的数值分别作为最小值和最大值。

本公开中，分阶段记载的数值范围中，以一个数值范围记载的上限值或下限值可以替换为其他分阶段记载的数值范围的上限值或下限值。另外，本公开所记载的数值范围中，其数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例所示出的值。