[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的前照灯在审
申请号: | 201880056883.4 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN111164753A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 李尚烈;姜基晚;金度烨;李恩得 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/36;H01L33/58 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 包括 前照灯 | ||
实施例中公开了一种半导体装置及包括该半导体装置的前照灯,该半导体装置包括:基板;布置在基板的中心部分处的多个半导体结构;布置在基板的边缘部分处的第一焊盘和第二焊盘;将多个半导体结构中的至少一个电连接到第一焊盘的第一布线;将多个半导体结构中的至少一个电连接到第二焊盘的第二布线;以及布置在多个半导体结构上的波长转换层,其中,多个半导体结构布置成在第一方向和第二方向上彼此间隔开,第一方向和第二方向彼此相交,多个半导体结构之间的间隔距离为5μm至40μm,并且波长转换层的厚度为1μm至50μm。
技术领域
实施例涉及一种半导体装置及包括该半导体装置的前照灯。
背景技术
由于包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体装置具有能带隙较宽且易于调节的许多优点,因此半导体装置可被广泛用于发光装置、光接收装置、各种二极管等。
特别地,随着薄膜生长技术和元件材料的发展,使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管(LED)或激光二极管的发光装置可以实现诸如红光、绿光、蓝光和紫外光的各种颜色的光,并且通过使用荧光材料或将颜色组合还实现具有高效率的白光,并且,与诸如荧光灯、白炽灯等常规的光源相比,发光装置具有诸如电力消耗低、半永久性寿命、响应速度快、安全和环保的优点。
此外,当使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光检测器或太阳能电池的光接收装置时,随着元件材料的发展,由于通过吸收各种波长范围内的光来产生光电流,因此可以利用从伽马射线到无线电波长范围的各种波长范围内的光。另外,光接收装置具有诸如响应速度快、安全、环保和元件材料容易调节的优点,因此可以容易地用于电力控制、微波电路或通信模块。
因此,半导体装置的应用被扩展到光通信单元的传输模块、能够替代液晶显示器(LCD)装置的背光中包括的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光、能够替代荧光灯或白炽灯的白色LED照明装置、车辆前照灯、信号灯、被配置为感测气体或火的传感器等。另外,半导体装置的应用可以扩展到高频应用电路、其他的电力控制装置和通信模块。
在车辆前照灯的情况下,多个发光装置(芯片)可以形成为封装进行使用。特别地,近年来,对于能够独立地使多个芯片发光的前照灯的关注日益增加。这里,为了将多个芯片示出为单个光源,应该使芯片之间的间隔最小化,但是,在这种情况下,可能发生诸如短路等的问题。
然而,在芯片之间的间隔减小太多的情况下,存在以下的问题:即使某些芯片关闭时,由于从与关闭的芯片相邻的芯片发出的光,也无法区分关闭的区域。即,当芯片之间的间隔减小时,存在对比度(contrast)降低的问题。特别地,当波长转换层设置在芯片上时,对比度问题可能进一步恶化。
发明内容
技术问题
实施例旨在提供一种多个发光结构的对比度得到改善的半导体装置。
实施例要解决的目的不限于上述目的,并且将包括可以通过下述的实现目的的方案和实施例确认的目的和效果。
技术方案
本发明的一个方面提供一种半导体装置,包括:基板;设置在基板的中心部处的多个半导体结构;设置在基板的边缘部分上的第一焊盘和第二焊盘;将第一焊盘电连接到多个半导体结构中的至少一个半导体结构的第一布线;将第二焊盘电连接到多个半导体结构中的至少一个半导体结构的第二布线;以及设置在多个半导体结构上的波长转换层,其中,多个半导体结构设置成在第一方向和第二方向上彼此间隔开,第一方向和第二方向彼此相交,多个半导体结构之间的分离距离在5μm至40μm的范围内,并且波长转换层的厚度在1μm至50μm的范围内。
有益效果
根据一个实施例,可以改善多个半导体结构的对比度。
通过在一个基板上设置多个半导体元件,能够增加发光区域。
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