[发明专利]嵌入式管芯封装多芯片模块

说明书

一种嵌入式管芯封装件(410)包含管芯，该管芯具有在第一电压电势和小于第一电压电势的第二电压电势之间的工作电压。包含导电材料的通孔被电连接到管芯的表面上的键合焊盘(464)，该通孔包含垂直于沿着通孔的长度的平面的至少一个延伸部(494)。电连接到通孔的再分配层(460)相对于通孔成一定角度以在管芯的表面与再分配层(460)的表面之间限定空间(470)。堆积材料处于该空间中。

技术领域

本申请总体涉及半导体器件，并且更具体地涉及嵌入式管芯封装多芯片模块。

背景技术

半导体封装件通常使用引线键合来提供电连接。一个半导体管芯电连接到用于将信号从半导体管芯传送到封装件的其余部分的导电图案。半导体封装通常还使用引线框架。引线框架允许在封装件的顶部堆叠诸如接点栅格阵列(LGA)或引线框架封装件的第二管芯封装件。在将半导体管芯和引线框架都组装到封装件中并且电连接到导电图案之后，使用模具覆盖或封装半导体管芯、引线键合材料和引线框架。

发明内容

在嵌入式多芯片模块的一个示例中，嵌入式管芯封装件包含第一管芯，该第一管芯具有在第一电压电势和小于第一电压电势的第二电压电势之间的工作电压。包含导电材料的通孔被电连接到第一管芯的表面上的键合焊盘，该通孔包含垂直于沿着通孔的长度的平面的至少一个延伸部。再分配层(RDL)电连接到通孔，其相对于通孔成一定角度以在该表面与RDL的表面之间限定空间。堆积材料处于该空间中。

在另一示例中，一种方法包括将第一管芯插入嵌入式管芯封装件中。第一管芯具有在第一电压电势和小于第一电压电势的第二电压电势之间的工作电压。该方法包括在第一管芯的表面上的键合焊盘上制造包含导电材料的通孔，该通孔包含垂直于沿着通孔的长度的平面的至少一个延伸部。该方法包括制造电连接到通孔的再分配层(RDL)，该再分配层相对于通孔成一定角度以在该表面与RDL的表面之间限定空间。该方法包括用堆积材料填充该空间。

在又一示例中，一种嵌入式管芯封装件包含管芯，该管芯具有在第一电压电势和小于第一电压电势的第二电压电势之间的工作电压。包含导电材料的第一通孔被电连接到管芯的表面上的键合焊盘，该通孔包含垂直于沿着通孔的长度的平面的至少一个延伸部。第一再分配层(RDL)被电连接到通孔，该第一再分配层相对于第一通孔成一定角度以在该表面和第一RDL的表面之间限定第一空间。包含导电材料的第二通孔被电连接到第一RDL，该第二通孔包含垂直于沿着第二通孔的长度的平面的至少一个延伸部。第二再分配层(RDL)被电连接到第二通孔，该第二再分配层相对于第二通孔成一定角度以在该表面和第二RDL的表面之间限定第二空间。堆积材料填充由第一通孔和第二通孔限定的第一空间和第二空间。

附图说明

图1是具有多个嵌入式管芯的嵌入式管芯封装件的示例的框图。

图2是图1的示例嵌入式管芯封装件的示例实施方式的图示。

图3是具有多个嵌入式管芯的示例嵌入式管芯封装件的框图，其中堆叠的再分配层结构为嵌入式管芯提供附加隔离。

图4是图3的示例嵌入式管芯封装件的示例实施方式的图示。

图5示出穿过本文所描述的插入柱的垂直互连件的示例。

图6示出嵌入式管芯封装件的俯视图，其中多个管芯被插入到材料中。

图7示出穿过嵌入式管芯封装件的开口插入多个管芯。

图8示出应用堆积材料以填充多个管芯之间的间隙。

图9示出用于多个管芯之间的互连件的种子层上的掩模。

图10示出将金属镀层应用到掩模的空隙上以形成再分配层(RDL)。

图11示出根据需要堆叠RDL层以在管芯和再分配层(RDL)之间提供更多分离。