[发明专利]在所有温度下具有低翘曲的双面扇出封装

说明书

本文中揭示包含双面再分布结构且在所有温度下具有低翘曲的半导体装置以及相关联系统及方法。在一个实施例中，一种半导体装置包含：第一半导体裸片，其电耦合到再分布结构的第一侧；及第二半导体裸片，其电耦合到与所述第一侧相对的所述再分布结构的第二侧。所述半导体装置还包含：第一模制材料，其位于所述第一侧上；第二模制材料，其位于所述第二侧上；及数个导电柱，其电耦合到所述第一侧且延伸穿过所述第一模制材料。所述第一模制材料及所述第二模制材料可具有用于抑制所述半导体装置翘曲的相同体积及/或热膨胀系数。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置。特定来说，本技术涉及包含双面再分布结构且经配置以在大范围装置温度下低翘曲的半导体装置以及相关联系统及方法。

背景技术

微电子装置大体上具有半导体裸片(即，芯片)，其包含具有高密度的极小组件的集成电路。通常，裸片包含电耦合到集成电路的极小接合垫阵列。接合垫是供应电压、信号等等通过其传输到集成电路及从集成电路传输的外部电接点。在形成裸片之后，“封装”裸片以将接合垫耦合到可更容易耦合到各种电力供应线、信号线及接地线的较大电端子阵列。用于封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合垫电耦合到引线、球垫或其它类型的电端子的阵列且囊封裸片以保护其免受环境因素(例如水分、微粒、静电及物理冲击)影响。

不同类型的半导体裸片可具有大不相同接合垫布置，但应与类似外部装置兼容。因此，现有封装技术可包含将再分布层(RDL)附着到半导体裸片。RDL包含将裸片接合垫与RDL接合垫连接的线路及/或通路。RDL接合垫的引线、球垫或其它类型的电端子的阵列经布置以与外部装置的接合垫配合。在典型“先芯片”封装工艺中，将裸片安装于载体上且囊封裸片。接着，移除载体且随后使用沉积及光刻技术来使RDL直接形成于其中定位裸片接合垫的裸片的正面上。在另一典型“后芯片”封装工艺中，使RDL与裸片分开形成且接着将裸片安装到RDL且囊封裸片。然而，先芯片及后芯片两种封装工艺的缺点是所得封装易经受翘曲。

附图说明

图1A及1B分别是说明根据本技术的实施例的半导体装置的横截面图及俯视图。

图2A到2M是说明根据本技术的实施例的各种制造阶段中的半导体装置的横截面图。

图3是包含根据本技术的实施例所配置的半导体装置的系统的示意图。

具体实施方式

下文将描述半导体装置的若干实施例的特定细节。本技术的若干实施例的一个方面是：半导体裸片位于RDL的两侧处。预期此对称性将相较于使用先芯片及后芯片工艺所形成的装置而减轻翘曲。更明确来说，使用先芯片及后芯片工艺所形成的封装在RDL的每一侧上具有不同层。此类封装易随温度变化而翘曲，因为RDL、半导体裸片及囊封物可具有不同热膨胀系数。过度翘曲会引起封装故障且降低良率。根据本技术的半导体装置的若干实施例减轻翘曲。

在一些实施例中，一种半导体装置包含：第一半导体裸片，其电耦合到再分布结构的第一侧；第二半导体裸片，其电耦合到所述再分布结构的第二侧；第一模制材料，其位于所述第一侧上；及第二模制材料，其位于所述第二侧上。在一些实施例中，所述半导体装置包含远离所述再分布结构的至少所述第一侧上的导电接点且穿过所述模制材料延伸的数个导电柱。在特定实施例中，所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片关于所述再分布结构对称且所述第一模制材料与所述第二模制材料相同或具有类似于所述第二模制材料的特性。在以下描述中，讨论众多特定细节以提供本技术的实施例的透彻且可能描述。然而，相关领域的技术人员将认识到，可在无一或多个特定细节的情况下实践本发明。在其它例子中，未展示或未详细描述通常与半导体装置相关联的熟知结构或操作以免使本技术的其它方面不清楚。一般来说，应了解，除本文中所揭示的特定实施例之外，各种其它装置、系统及方法也可在本技术的范围内。