[发明专利]在所有温度下具有低翘曲的双面扇出封装

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

再分布结构，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一表面包含数个第一导电接点及数个第二导电接点，其中所述第二表面包含数个第三导电接点，且其中所述第一导电接点及所述第三导电接点通过穿过绝缘材料及/或在绝缘材料上延伸的导线来电耦合到所述第二导电接点中的对应者；

第一半导体裸片，其位于所述再分布结构的所述第一表面处且电耦合到所述第一导电接点；

第二半导体裸片，其位于所述再分布结构的所述第二表面处且电耦合到所述第三导电接点；

第一模制材料，其位于所述第一表面上，所述第一模制材料至少部分囊封所述第一半导体裸片；

第二模制材料，其位于所述第二表面上，所述第二模制材料至少部分囊封所述第二半导体裸片；及

数个导电柱，其延伸穿过所述第一模制材料且电耦合到所述第二导电接点中的对应者。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片关于所述再分布结构反射对称。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一模制材料与所述第二模制材料相同。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一模制材料的热膨胀系数大体上等于所述第二模制材料的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一模制材料的体积大体上等于所述第二模制材料的体积。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一模制材料完全囊封所述第一半导体裸片，且其中所述第二模制材料完全囊封所述第二半导体裸片。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电柱具有至少与所述第一半导体裸片的最上表面与所述再分布结构的所述第一表面之间的距离一样大的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电柱各自具有从所述第一模制材料暴露的端部分且所述端部分共同界定第四导电接点。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括安置于所述第四导电接点上的数个导电特征。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述导电特征是焊球及焊料凸块中的至少一者。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一表面包含所述第一半导体裸片下方的第一裸片附着区域，其中所述第二表面包含所述第二半导体裸片下方的第二裸片附着区域，其中所述第一导电接点位于所述第一裸片附着区域中且所述第三导电接点位于所述第二裸片附着区域中，且其中所述第二导电接点位于所述第一裸片附着区域外。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二接点中的至少第一者比与所述第二接点中的所述第一者电耦合的所述对应第一接点更与所述第一半导体裸片横向间隔，且其中所述第二接点中的至少第二者比与所述第二接点中的所述第二者电耦合的所述对应第三接点更与所述第二半导体裸片横向间隔。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一表面与所述第二表面之间的所述再分布结构的厚度小于约50μm。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述再分布结构是第一再分布结构，且所述半导体装置进一步包括所述第一模制材料的至少一部分上的第二再分布结构。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述再分布结构不包含预成形衬底。