[发明专利]形成多个沉积半导体层的堆叠结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体层的堆叠结构的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上沉积第一氧化硅层；

在所述第一氧化硅层上沉积第一硅层；

在所述第一硅层上沉积第一氮化硅层，其中沉积所述第一氮化硅层包括以下步骤：

使包括氦和硅烷或乙硅烷的气体流动通过等离子体，以形成等离子体流出物，其中用RF功率维持所述等离子体，和

减少在所述第一硅层、所述第一氧化硅层或所述基板中的至少一个中的应力；和

在所述第一氮化硅层上沉积第二硅层并且形成包括所述第一氧化硅层、所述第一硅层、所述第一氮化硅层和所述第二硅层的半导体层的所述堆叠结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述RF功率是在从200至550W的范围中。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氦以在从1slm至9slm的范围中的速率来流动。

4.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述第一氧化硅层、沉积所述第一硅层、沉积所述第一氮化硅层、沉积所述第二硅层的步骤是在腔室中执行。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一氮化硅层的特征在于在从-1,500MPa至600MPa的范围中的应力。

6.一种管理在半导体基板上的氮化硅层中的应力的方法，所述方法包括以下步骤：

确定在所述氮化硅层中的目标应力水平，

使用校准曲线来确定氦的流率和RF功率，以实现所述目标应力水平，在具有所述RF功率的情况下使在所述流率下的氦和硅烷或乙硅烷流动通过等离子体，和

在所述半导体基板上沉积所述氮化硅层。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述半导体基板包括在硅基板上的氧化硅层上的硅层。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述氮化硅层中的所述目标应力水平在从-1,500MPa至600MPa的范围中。

9.一种形成半导体层的堆叠结构的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上沉积第一氧化硅层；

在所述第一氧化硅层上沉积第一硅层；

在所述第一硅层上沉积第一氮化硅层；

在所述第一氮化硅层上沉积第二硅层；和

在与具有所述第一氧化硅层的所述基板的一侧相对的所述基板的一侧上沉积应力层，并且形成包括所述第一氧化硅层、所述第一硅层、所述第一氮化硅层和所述第二硅层的半导体层的所述堆叠结构。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述应力层是第二氮化硅层。

11.如权利要求9所述的方法，其中沉积所述应力层的步骤是在所述基板的特征在于超过阈值的弯曲之后。

12.如权利要求11所述的方法，其中在沉积所述应力层之后，所述基板的特征在于由不超过所述阈值的弯曲。

13.如权利要求9所述的方法，其中沉积所述应力层的步骤是在沉积所述第一氮化硅层之后并且在沉积所述第二硅层之前。

14.如权利要求9所述的方法，其中沉积所述应力层的步骤是在沉积所述第二硅层之后并且在图案化所述第二硅层之前。

15.如权利要求9所述的方法，其中通过低压化学气相沉积来沉积所述第一氧化硅层、所述第一硅层、所述第一氮化硅层、所述第二硅层和所述应力层。