[发明专利]用于V族掺杂的薄膜堆叠件、包括薄膜堆叠件的光伏器件以及用于形成具有薄膜堆叠件的光伏器件的方法

说明书

根据本文所提供的实施例，用于形成光伏器件的方法能够包括使多个半导体层沉积。多个半导体层能够包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层。掺杂层能够包括硒化镉或碲化镉。该方法能够包括使多个半导体层退火以形成吸收剂层。

对相关申请的交叉引用

本申请要求源于2017年2月27日提交的编号为62/464127的美国临时专利申请的优先权，该临时专利申请通过引用以其整体并入本文。

背景技术

本说明书一般涉及在薄膜光伏器件（photovoltaic device）中p型掺杂剂的使用，并且更具体地涉及在薄膜光伏器件中V族p型掺杂剂的使用。

光伏器件通过使用表现出光伏效应的半导体材料将光转换成直流电力来生成电功率。某些类型的半导体材料可能难以制造。例如，与半导体材料相邻提供的薄膜层可能引起光伏器件的不可操作性或不稳定性。将V族元素用作p型半导体的掺杂剂可能是特别困难的。

因此，存在对于并入V族p型掺杂剂的供薄膜光伏器件使用的备选薄膜堆叠件（stack）的需要。

发明内容

本文提供的实施例涉及供V 族掺杂剂使用的薄膜堆叠件。鉴于下面的详细描述结合附图，将更全面地理解由本文描述的实施例提供的这些特征及附加特征。

附图说明

附图中所阐明的实施例本质上是说明性和示范性的，而不意在限制由权利要求定义的主题。说明性实施例的以下详细描述能够在结合下面的附图阅读时被理解，在附图中，同样的结构用同样的参考标号指示，并且在附图中：

图1示意性地描绘根据本文示出和描述的一个或多个实施例的光伏器件；

图2示意性地描绘根据本文示出和描述的一个或多个实施例的衬底；

图3示意性地描绘根据本文示出和描述的一个或多个实施例的光伏器件；以及

图4和图5示意性地描绘根据本文示出和描述的一个或多个实施例用于形成光伏器件的吸收剂层的膜堆叠件。

具体实施方式

薄膜光伏器件能够包括衬底（或覆板（superstrate））上产生的多个层。例如，光伏器件能够包括在衬底上以堆叠件形成的阻挡层、透明导电氧化物（TCO）层、缓冲层、吸收剂层（absorber layer）以及背接触层。每个层又可以包括不止一个层或膜。例如，吸收剂层能够由多个半导体层形成。

现在参考图1，示意性地描绘光伏器件100的实施例。光伏器件100能够配置成接收光并且将光变换成电信号，例如，能够从光吸收光子并且经由光伏效应将光子变换成电信号。因此，光伏器件100能够定义能量侧102，能量侧102配置成被暴露于诸如例如太阳之类的光源。光伏器件102还能够定义从能量侧102偏移的相对侧104。注意，术语“光”能够指电磁光谱的各种波长，诸如但不限于电磁光谱的紫外（UV）、红外（IR）以及可见部分中的波长。光伏器件100能够包括设置在能量侧102与相对侧104之间的多个层。如本文中所使用的术语“层”能够指表面上提供的一定厚度的材料。另外，每个层能够覆盖该表面的全部或任何部分。

光伏器件100能够包括配置成促进使光透射到光伏器件100中的衬底110。衬底110能够设置在光伏器件100的能量侧102。共同地参考图1和图2，衬底110能够具有基本上与光伏器件100的能量侧102面对的第一表面112以及基本上与光伏器件100的相对侧104面对的第二表面114。一层或多层材料能够设置在衬底110的第一表面112与第二表面114之间。