[发明专利]用于V族掺杂的薄膜堆叠件、包括薄膜堆叠件的光伏器件以及用于形成具有薄膜堆叠件的光伏器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成光伏器件的方法，包括：

使多个半导体层沉积，其中：

所述多个半导体层包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层，以及

所述掺杂层包括硒化镉、碲化镉或其组合；以及

使所述多个半导体层退火，由此形成吸收剂层，其中：

所述吸收剂层包括镉、硒和碲，以及

所述吸收剂层中的所述V族掺杂剂的总剂量大于0%并且小于0.1 %。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂层包括碲化镉，并且所述多个半导体层包括附加层，所述附加层包括硒化镉。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述附加层掺杂有砷。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂层比所述附加层更厚。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述掺杂层的厚度与所述附加层的厚度的比大于6。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个半导体层包括第三层，所述第三层包括碲化镉。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述附加层定位在所述掺杂层与所述第三层之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述掺杂层是最厚层，并且所述附加层比所述第三层更厚。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述掺杂层的厚度与所述第三层的厚度的比大于10。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第三层定位在所述掺杂层与所述附加层之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述掺杂层是最厚层，并且所述掺杂层比所述附加层更厚。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掺杂层的厚度与所述附加层的厚度的比大于4。

13.根据权利要求1所述的方法，包括：形成与所述吸收剂层相邻的背接触层，其中，所述背接触件是基本上无铜的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述吸收剂层具有以一定厚度偏移的第一表面和第二表面；

所述背接触件在所述吸收剂层的所述第二表面上形成；以及

所述吸收剂层中的在所述吸收剂层的第一表面与所述吸收剂层的中点之间测量的氧的平均浓度小于3x10¹⁷cm^-3。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述背接触层包括氮掺碲化锌。

16.根据权利要求15所述的方法，包括形成与所述背接触层相邻的导电层。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个半导体层沉积在缓冲层上，并且所述吸收剂层具有与所述缓冲层相邻的第一表面。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述掺杂层比所述多个半导体层中的任何其它层更远离所述缓冲层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

吸收剂缓冲界面区与所述吸收剂层的所述第一表面相邻形成；

在所述吸收剂层中随着与所述吸收剂层的所述第一表面的距离而形成所述V族掺杂剂的百分比浓度分布；以及

所述吸收剂缓冲界面处的砷的百分比浓度分布不同于所述吸收剂层的大块部分中的砷的百分比浓度分布。