[实用新型]一种MOSFET晶圆

说明书

本实用新型公开了一种MOSFET晶圆，涉及半导体领域。用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。本实用新型实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件晶圆表面处理领域，更具体的涉及一种MOSFET晶圆。

背景技术

随着功率MOSFET制造工艺的提升和新材料、新器件结构的不断涌现，功率MOSFET晶圆的导通损耗得到了大幅降低，体现在得到了更低的导通压降和开关损耗(缩小了开关时间)及更大的SOA。源于晶片性能的提升，特别是在一些高端应用场合，传统的AL Wire和Ribbon Bonding工艺已经很难将晶圆的性能发挥到极致，这就要求半导体制造的后道工艺也必须进行优化改革。其中Cu Clip Bonding工艺，在降低产品的导通损耗和寄生电感方面得到了很大的提升，主要是因为其具有很高的键合面积和电流流通截面积，以及很低的欧姆接触电阻及高可靠性。

但由于Cu Clip Bonding工艺较为复杂，封装成本较高，设备投入及工艺成本投入较大，对部分封装厂实施起来难度较大；

若考虑在Fab厂直接将晶圆表面金属层加厚，因为Fab厂的功率MOSFET晶圆表面铝层是通过溅射工艺实现的，若将铝层加层到10～20um，时间成本是无法批量实现。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种MOSFET晶圆，用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。

本实用新型实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；

所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；

所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。

优选地，所述晶圆表面金属层包括的第一层金属化金属层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为左右。

优选地，所述晶圆表面金属层包括的第二层金属化金属层为第一金属铜层，所述第一金属铜层的厚度为左右。

优选地，所述晶圆表面金属层包括的第三层金属化金属层为第二金属铜层，所述第二金属铜层的厚度为5～20um左右。

优选地，所述晶圆表面金属层包括的第四层金属化金属层为金属镍层，所述金属镍层的厚度为1～3um左右；第五层金属化金属层为金属金层，所述金属金层的厚度为0.1～0.03um左右。

优选地，所述晶圆表面金属层包括的第四层金属化金属层为金属镍层，所述金属镍层的厚度为1～3um左右；第五层金属化金属层为金属钯层，所述金属钯层的厚度为0.1～0.3um左右；第六层金属化金属层为金属金层，所述金属金层的厚度为0.1～0.03um左右。

优选地，还包括钝化层；

所述钝化层设置在所述S极表面金属层的四周，且所述晶圆表面金属层与所述钝化层不接触。