[实用新型]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201821715298.4 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN208954991U | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 张祖强;刘振宇 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体层 漏极电极 阴极电极 源极电极 栅极电极 有机发光二极管显示装置 绝缘层 基板 有机保护层 阳极电极 有机层 裸露 薄膜晶体管 正投影 覆盖 | ||
一种有机发光二极管显示装置包含基板、第一栅极电极、第一绝缘层、半导体层、源极电极、漏极电极、有机保护层、阴极电极、有机层与阳极电极。第一栅极电极设置于基板上。第一绝缘层设置于基板上,且覆盖第一栅极电极。半导体层设置于第一绝缘层上。源极电极与漏极电极分别设置于半导体层上,其中半导体层具有裸露于源极电极与漏极电极的裸露部分,且裸露部分于基板上的正投影与第一栅极电极至少部分重叠。有机保护层覆盖源极电极、漏极电极与半导体层。阴极电极设置于有机保护层上。有机层设置于阴极电极上。阳极电极设置于有机层上。有机发光二极管显示装置将能有效降低阴极电极与阳极电极可能对于薄膜晶体管造成的影响。
技术领域
本实用新型是有关于一种有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)为采用发光性的有机化合物的发光元件,具有自发光特性,且其薄型化、显示品质以及省电特性皆优于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)。由于有机发光二极管具有广视角、高反应速度、超薄等特性,使得有机发光二极管面板应用范围愈来愈广泛。
有机发光二极管面板为通过阴极电极与阳极电极驱动,而设置于其周遭的薄膜晶体管可能会受到阴极电极与阳极电极的电压变化影响,因而导致薄膜晶体管在控制上的复杂性与不稳定性。
实用新型内容
本实用新型的一技术态样是在提供一种有机发光二极管显示装置,以有效降低阴极电极与阳极电极可能对于薄膜晶体管造成的影响。
根据本实用新型一实施方式,一种有机发光二极管显示装置包含基板、第一栅极电极、第一绝缘层、半导体层、源极电极、漏极电极、有机保护层、阴极电极、有机层与阳极电极。第一栅极电极设置于基板上。第一绝缘层设置于基板上,且覆盖第一栅极电极。半导体层设置于第一绝缘层上。源极电极与漏极电极分别设置于半导体层上,其中半导体层具有裸露于源极电极与漏极电极的裸露部分,且裸露部分于基板上的正投影与第一栅极电极至少部分重叠。有机保护层覆盖源极电极、漏极电极与半导体层。阴极电极设置于有机保护层上。有机层设置于阴极电极上。阳极电极设置于有机层上。
于本实用新型的一或多个实施方式中,有机保护层的厚度为2微米至3微米。
于本实用新型的一或多个实施方式中,有机发光二极管显示装置还包含无机保护层。无机保护层设置于有机保护层和源极电极、漏极电极与半导体层之间,且覆盖源极电极、漏极电极与半导体层。
于本实用新型的一或多个实施方式中,有机发光二极管显示装置还包含第二栅极电极。第二栅极电极设置于无机保护层与有机保护层之间,其中第二栅极电极于半导体层上的正投影与裸露部分至少部分重叠。
于本实用新型的一或多个实施方式中,有机发光二极管显示装置还包含屏蔽层与第二绝缘层。屏蔽层设置于有机保护层与阴极电极之间,其中屏蔽层为导电屏蔽层,且屏蔽层具有固定电位。第二绝缘层设置于阴极电极与屏蔽层之间。
根据本实用新型另一实施方式,一种有机发光二极管显示装置包含基板、第一栅极电极、第一绝缘层、半导体层、源极电极、漏极电极、有机保护层、阳极电极、有机层与阴极电极。第一栅极电极设置于基板上。第一绝缘层设置于基板上,且覆盖第一栅极电极。半导体层设置于第一绝缘层上。源极电极与漏极电极分别设置于半导体层上,其中半导体层具有裸露于源极电极与漏极电极的裸露部分,且裸露部分于基板上的正投影与第一栅极电极至少部分重叠。有机保护层覆盖源极电极、漏极电极与半导体层。阳极电极设置于有机保护层上,其中阳极电极具有裸露有机保护层的开口,开口于半导体层上的正投影与裸露部分至少部分重叠。有机层设置于阳极电极上。阴极电极设置于有机层上。
于本实用新型的一或多个实施方式中,有机保护层的厚度为2微米至3微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的