[实用新型]基于TO-220的绝缘散热封装结构

说明书

本实用新型公开一种基于TO‑220的绝缘散热封装结构，包括：散热基板、设于散热基板上方的芯片底座、设于所述散热基板与所述芯片底座之间的绝缘导热硅胶层、设于所述芯片底座上方的芯片、设于所述芯片底座上表面的第一焊接层、设于所述芯片下表面的第二焊接层、设于所述芯片上的若干焊接块、以及塑封料，塑封料包覆散热基板。本实用新型通过采用绝缘导热硅胶作为散热基板与芯片底座之间的连接层，导热效果好，且绝缘性能优良；通过涂覆两层焊接层，增加芯片底座与芯片之间的焊接结合力，同时加强两者之间的导热性；散热基板背面部分包覆塑封料的结构，既提高了封装结构的绝缘性，增加了散热基板与芯片底座之间的稳定性，又不影响封装结构的散热效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于TO-220的绝缘散热封装结构。

背景技术

传统TO-220封装分为半包和全包两种类型。半包的类型散热效果好，但是绝缘性能较差，而全包的类型绝缘性能良好，但散热效果较差。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种基于TO-220的绝缘散热封装结构。

本实用新型的技术方案如下：一种基于TO-220的绝缘散热封装结构，包括：散热基板、设于所述散热基板上方的芯片底座、设于所述散热基板与所述芯片底座之间的绝缘导热硅胶层、设于所述芯片底座上方的芯片、设于所述芯片底座上表面的第一焊接层、设于所述芯片下表面的第二焊接层、设于所述芯片上的若干焊接块、以及塑封料，所述塑封料包覆所述散热基板。

进一步地，所述第一焊接层与所述第二焊接层均为锡膏。

进一步地，所述第一焊接层与所述第二焊接层的厚度均为0.05mm-0.25mm。

进一步地，所述第二焊接层的面积与所述芯片底面面积相等，所述第一焊接层的面积大于所述第二焊接层的面积。

进一步地，所述绝缘导热硅胶层的厚度为0.35mm-0.65mm。

进一步地，所述塑封料为环氧树脂材料。

进一步地，所述塑封料将所述散热基板上表面完全包覆，所述塑封料位于所述散热基板上表面部分的封装厚度为3mm-5mm。

进一步地，所述塑封料将所述散热基板的左右两侧边背面及下底边背面包覆住形成第一包边、第二包边以及第三包边。

进一步地，所述第一包边与所述第二包边的宽度均为0.5mm-2.5mm，所述第三包边的宽度为1mm-3mm。

进一步地，所述散热基板的材质为铝材。

采用上述方案，本实用新型通过采用绝缘导热硅胶作为散热基板与芯片底座之间的连接层，导热效果好，且绝缘性能优良；通过涂覆两层焊接层，增加芯片底座与芯片之间的焊接结合力，同时加强两者之间的导热性；散热基板背面部分包覆塑封料的结构，既提高了封装结构的绝缘性，增加了散热基板与芯片底座之间的稳定性，又不影响封装结构的散热效果；铝材的散热基板，导热系数高，易于加工成型，且价格低廉。

附图说明

图1为本实用新型基于TO-220的绝缘散热封装结构正面结构示意图；

图2为本实用新型基于TO-220的绝缘散热封装结构背面结构示意图；

图3为图1沿A-A的剖面图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。