[实用新型]基于TO-220的绝缘散热封装结构有效
| 申请号： | 201821266885.X | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN208548347U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林周明;林钟涛 | 申请（专利权）人： | 广东华冠半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 谭雪婷;高早红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区布吉*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热基板 芯片底座 焊接层 塑封料 芯片 散热封装结构 本实用新型 封装结构 绝缘导热 绝缘 焊接 导热性 导热效果 绝缘性能 散热效果 硅胶层 结合力 绝缘性 连接层 上表面 下表面 包覆 分包 硅胶 两层 涂覆 背面 | ||
1.一种基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，包括：散热基板、设于所述散热基板上方的芯片底座、设于所述散热基板与所述芯片底座之间的绝缘导热硅胶层、设于所述芯片底座上方的芯片、设于所述芯片底座上表面的第一焊接层、设于所述芯片下表面的第二焊接层、设于所述芯片上的若干焊接块、以及塑封料，所述塑封料包覆所述散热基板。
2.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述第一焊接层与所述第二焊接层均为锡膏。
3.根据权利要求2所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述第一焊接层与所述第二焊接层的厚度均为0.05mm-0.25mm。
4.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述第二焊接层的面积与所述芯片底面面积相等，所述第一焊接层的面积大于所述第二焊接层的面积。
5.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述绝缘导热硅胶层的厚度为0.35mm-0.65mm。
6.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述塑封料为环氧树脂材料。
7.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述塑封料将所述散热基板上表面完全包覆，所述塑封料位于所述散热基板上表面部分的封装厚度为3mm-5mm。
8.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述塑封料将所述散热基板的左右两侧边背面及下底边背面包覆住形成第一包边、第二包边以及第三包边。
9.根据权利要求8所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述第一包边与所述第二包边的宽度均为0.5mm-2.5mm，所述第三包边的宽度为1mm-3mm。
10.根据权利要求1所述的基于TO-220的绝缘散热封装结构，其特征在于，所述散热基板的材质为铝材。
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